中国科学院半导体所的研究员梁骏吾因病去世，他生前对我国有哪些贡献？

半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾，1933年9月18日出生，湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。

每年召开的“中国电子材料行业半导体材料分会年会”上，梁骏吾是不可或缺的重量级嘉宾，他的学术报告往往成为行业技术发展的重要参考和指南。

作为从事硅材料研究的元老级专家，梁骏吾被认为是中国半导体材料领域内一位“真正的大侠”，其威望自然举足轻重。

褚君浩（1945年3月20日—），男，出生于江苏宜兴，红外物理学家、半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究所研究员，东华大学理学院院长[1]。

1966年，褚君浩毕业于上海师范学院（现上海师范大学）物理系。1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位；1986年至1988年，获得德国洪堡基金，赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。1985年加入九三学社；2005年当选为中国科学院院士。

褚君浩长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。[2]

中文名

褚君浩

国籍

中国

民族

汉族

出生地

江苏宜兴

出生日期

1945年3月20日

人物关系

褚绍唐

父亲

褚绍唐（1912-2004），原华东师大地理系教授，1912年出生于江苏宜兴，我国著名地理教育家、历史地理学家，是我国地理教育研究的开拓者和学科发展的奠基人，是中华地学会五位主要负责人之一、中国教育学会地理教学研究会创始人之一、华东师范大学

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