半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning 是什么意思?

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液： （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

Kimberlite等离子清洗设备。

1，清洗时间短，反应速度快：在气体放电瞬间发生等离子体反应，改变表面的性质可能就需要几秒；

2，等离子清洗温度低或接近常温，不会对材料造成损害；

3，等离子体是具有高能量，无需添加催化剂即可实现的反应，达到表面改性效果；

4，应用范围广，对处理对象无要求，均可进行表面性能改造；

5，等离子清洗有效控制企业的成本，易 *** 作，可连续运行无需24小时看管；

6，最后一点，也是非常重要的一点。等离子清洗相比传统清洗更环保，不使用氯代烃清洗剂、水基清洗剂和碳氢溶剂等，不仅具有毒性、水处理繁琐、清洗效果较差以及不易干燥安全性。

主要是对硅晶片（Si wafer）的一系列处理

1、清洗 ->2、在晶片上铺一层所需要的半导体 ->3、加上掩膜 ->4、把不要的部分腐蚀掉 ->5、清洗

重复2到5就可以得到所需要的芯片了

Cleaning ->Deposition ->Mask Deposition ->Etching ->Cleaning

1、中的清洗过程中会用到硝酸，氢氟酸等酸，用于清洗有机物和无机物的污染

其中Deposition过程可能会用到多种器材，比如HELIOS等~

Mask Deposition过程中需要很多器材，包括Spinner，Hot plate，EVG等等~

根据材料不同或者需要的工艺精度不同，Etching也分很多器材，可以使用专门的液体做Wet etch，或者用离子做Plasma Etching等

最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~

多数器材都是Oxford Instruments出的

具体建议你去多看看相关的英文书，这里说不清楚。。

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