半导体压敏性是什么意思?还有光敏性，热敏性。

简单说明如下，

半导体的压敏性，当外加电压变化达到某一特定阈值时，导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如，压敏电阻。 压敏电阻，是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

半导体的光敏性，在特定频率的光照下，可导致其电阻率发生变化的性质。例如，光敏电阻。

半导体的热敏性，由于温度变化，可导致其电阻率发生变化的性质。例如，热敏电阻。

可控硅对电压非常敏感，稍一过压就可能烧毁，所以需要加过电压保护。

造成过压的原因很多，常见的有以下几种情况：

1）变压器的接通或断开；

2）感性负载的接通或断开；

3）可控硅断开（或接触问题）；

4）熔断器熔丝或保险的烧断；

5）外界闪电或雷击。

以上这些情况都可能产生瞬时高压，将可控硅损坏。

保护的方法一般采取阻容吸收，

或采用非线性电阻吸收（如压敏电阻）。

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的，如图1-13所示。正向特性和反向特性的特点如下。

                     

    1．正向特性

    当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。如图1 - 13所示，正向电压超过二极管开启电压Uon（又称为死区电压）时，电流增长较快，二极管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关，通常硅管的开启电压为Uon=0.5V(A点)，锗管为Uon=0.1 V(A'点)。二极管导通后，二极管两端的导通压降很低，硅管为0. 6～0.7 V，锗管为0.2～0.3 V如图1-13中B、B'点。

    2．反向特性

    在分析PN结加上反向电压时，已知少数载流子的漂移运动形成反向电流。因少数载子数量少，且在一定温度下数量基本维持不变，因此，厦向电压在一定范围内增大时，反向电流极微小且基本保持不变，等于反向饱和电流Is。

    当反向电压增大到UBR时，外电场能把原子核外层的电子强制拉出来，使半导体内载流子的数目急剧增加，反向电流突然增大，二极管呈现反向击穿的现象如图1-13中D、D'点。二极管被反向击穿后，就失去了单向导电性。二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿，利用电击穿可制成稳压管，而热击穿将引起电路故障，使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。

    二极管的特性对温度很敏感。实验表明，当温度升高时，二极管的正向特性曲线将向纵轴移动，开启电压及导通压降都有所减小，反向饱和电流将增大，反向击穿电压也将减小。

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