速度饱和效应的原因

E>1e3V/cm,这时漂移速度随E的变化偏离线性，迁移率成为E的函数。强场下载流子漂移速度随电场的变化仅仅表现为随电场升高而升高的幅度有所降低，并最终趋于饱和。这种效应称为速度饱和效应。

short-channel effects，SCEs. 短沟道效应。

当MOS管沟道缩短到一定程度，就会出现短沟道效应，其主要表现在MOS管沟道中的载流子出现速度饱和现象。

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