
本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度,且n=p=ni,且np=ni平方。
而有杂质时np=ni平方仍成立,以n为多子,注,此时无本征载流子ni,都是热平衡载流子n0,p0。它们乘积=无杂质时ni平方。
硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
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本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度,且n=p=ni,且np=ni平方。
而有杂质时np=ni平方仍成立,以n为多子,注,此时无本征载流子ni,都是热平衡载流子n0,p0。它们乘积=无杂质时ni平方。
硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
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