96层堆叠3D闪存发威：NVMe固态硬盘进入2TB时代

在台北电脑展期间，东芝宣布了新一代XG6-P客户级固态硬盘，M.2 NVMe固态硬盘也开始走向2TB时代。

与使用QLC闪存的英特尔660p不同，东芝XG6-P应用的是96层堆叠的3D TLC闪存（BiCS4），性能及耐用性方面更具优势。早在去年7月，东芝就宣布了使用BiCS4的XG6系列，不过超过1TB的大容量应用则直到XG6-P发布才实现。

相比上代XG5，使用96层BiCS4闪存的XG6、XG6-P在顺序读写及能源效率表现上更佳，除了拥有更新的主控芯片之外，新闪存升级Toggle 3.0接口也为更低延迟及更低能耗提供了帮助。

或许有些朋友对东芝XG的了解比较少，这是因为XG属于东芝客户级产品（Client SSDs），面向服务器启动盘及日志存储盘应用，直接供应OEM客户，最终随高端笔记本电脑或商用服务器产品出货，较少流通到零售消费级市场中。

而我们能够直接接触到的东芝固态硬盘主要通过东芝在2014年收购的OCZ品牌出现。或许一些老玩家对OCZ RD400 NVMe固态硬盘还有一定印象，它就是由当年的东芝XG3发展而来。只不过之后的XG系列就没有再 延申到 零售品牌当中，略显遗憾。

不过毕竟是同一家企业，客户级和消费级产品之间还是会有互通的。譬如主打高集成度的迷你NVMe固态硬盘BG系列就孕育出了零售的RC100：

为了适应个人消费者DIY加装的使用方式，RC100的体型从BG3的BGA颗粒或M.2 2230规格变为更大众化的M.2 2242规格，并成为该规格中不多见的NVMe SSD选项。RC100融合了主控与闪存，仅用一个颗粒就可实现240GB/480GB容量，是很多空间紧凑的超极本理想选择。

2.5寸SATA接口方面，零售的TR200与客户级产品序列中的SG6没有太多的血缘关系。不过它们都使用了东芝自家的BiCS闪存。

主控方面，TR200使用了TC58NC1010GSB——群联PS3111的东芝定制版本。据存储极客的拆解发现，最新批次的TR200固态硬盘也已经用上了96层堆叠的BiCS4 3D TLC闪存——XG6-P中的同款颗粒（编号以TC58LJ开头）。

不过TR200跟面向高容量应用的XG6-P还是有所不同，为了保障较小容量下的性能，东芝为TR200配备了256Gb die的BiCS4闪存，从而保障在480GB容量下能够拥有更高的并发读写能力，也是一种因地制宜的体现了。

固态硬盘共有三种闪存类型，分别为SLC、MLC以及TLC；

SLC全称为Single-LevelCell，单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构，其每一个单元储存一位数据，但是SLC生产成本较高，晶片可重复写入十万次。SLC的特点是成本高、容量小、速度快

MLC 全称为Multi-Level Cell，多层单元闪存，MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较高。MLC的特点是容量大成本低，但是速度相较于SLC更慢。

TLC全称为Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。现主流的SSD多数都采用最新的3D NAND闪存堆叠技术，基于该技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升。东芝已研发96层3D BiCS FLASH存储单元。

区别如下：

最近东芝推出了新一代NVMESSD固态硬盘系列BG4，由系列的名称已经能看到，新一代的BG4所采用的将会是第四代单芯片球阵列封装方式(BGA)的SSD固态硬盘产品。并且相比上一代的BG3在性能提升上将会有让人印象深刻的效果。

首先BG4系列将会是使用96层的3DBiCSTLCNAND存储芯片，而不是我们相对熟悉的64层。而使用这样的存储芯片不仅能带来整体容量的提升，并且还在能耗部分得到约20%的下降控制。同时BG3系列所使用的是NVMePCIe3.0x2接口，而BG4则使用NVMePCIe3.0x4接口，拥有更大的数据吞吐量。

而BG4系列相比BG3系列并不仅限于容量提升或接口改变，对于用户使用体验相当重要的书写性能上，BG4能实现2250MB/s和1700MB/s的顺序读写速度呈现，相比BG3提升了50%和70%。同样，随机读/写IOPS分别从BG3的150000和100000飙升到380000和190000。

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