研究光子芯片的“天才少年”，打破美国封锁，有望解决缺芯问题

根据2017年中国集成电路产业分析，我国在移动通信和计算机领域的国产芯片，占有比例接近为零，就算到了2020年占有率有所上升，但也很低，我国在芯片领域的发展落后，主要原因是因为缺少先进的光刻机，那何为光刻机呢，简单来说，光刻机是制造芯片的核心装备，它的工作原理有点像相片冲印，需要把集成电路的精细图形，通过光线曝光印到硅片上形成芯片，但一台光刻机的造价十分昂贵，通常在三千万至五亿美元之间，光刻机的优劣直接决定了芯片的性能，而世界上只有少数几个国家拥有高端的光刻机，我国于2018年研发的光刻机，光刻分辨率才22纳米，继续完善后也只能达到10纳米，而在芯片领域发达的国家，早就已经在制造7纳米、5纳米的芯片了。

阿斯麦是世界上能生产7纳米芯片的最大半导体供应商，我国中芯国际在2018年就进口了该类型的光刻机，但因为美国的打压，光刻机迟迟未到，中国制造芯片之路仿佛被人扼住了脖颈，没了芯片我国高 科技 的发展将会受到极大的影响，大到航天航空领域，小到人们手上的手机，就比如说华为基于5纳米工艺打造的，麒麟9000芯片可能成为绝版，而缺少芯片带来的恶劣后果，直接影响了我们的日常生活和国家 科技 发展，不过就算是这样，中国也有无数科研人员正在努力，让中国芯片绕开美国的封锁，比如正在研究的光子芯片的技术，让中国就算没有光刻机，也可以制造出高端的芯片，其中有一位年轻有为的青年科研家，他所带领的团队研究的光子芯片，已初有成效，为中国缺芯的局面带来曙光，他就是麻省理工学院毕业的沈亦晨，今天就和大家聊聊沈亦晨其人，以及他又是怎么用光子芯片打破美国封锁，让中国缺芯局面可解的。

沈亦晨出生在浙江杭州，从小便聪明伶俐，对电器十分感兴趣，喜欢将家里的小电器拆了又装，观察里面的构造，而这也得益于他父亲的影响，沈亦晨的父亲是一位电力工程师，当别的孩子都在玩玩具车时，沈亦晨的玩具就是父亲工作时的各种器材设备，当别的孩子在看漫画书时，沈亦晨看的书就是父亲书柜里那些晦涩难懂的电路图，和电力物理书，在父亲的耳濡目染下，沈亦晨对这一行业拥有着强烈的好奇心，他喜欢去学习去 探索 ，读完高中之后，沈亦晨就前往新加坡和美国，在新加坡南洋理工大学和美国霍普金斯大学，攻读物理专业，沈亦晨就像一条游进了宽阔大海的鱼，如鱼得水，他的知识系统迅速被扩展，并且在纳米光子学领域增长了学识，为后来的光子芯片研究，奠定了坚实的专业基础。

在沈亦晨求学之路上，无论是读研还是读博期间，沈亦晨积极参与光学研究，他在《科学》杂志上发表了论文得到了业界的好评，除此之外他还发表过25篇顶级期刊的论文，还拥有着10项美国专利，沈亦晨对光学研究的孜孜不倦，让他得了一个“追光者”的外号，其实关于光学的研究与应用，在数十年间一直有在进行，沈亦晨在研究中也也发现了光子比电子更快，而且耗能也更低，如果能用光子替代电子，那将是史无前例的进步，但是由于光像是一个难以琢磨的孩子，行为难以预测，也就是光具有不可控性，所以关于光学计算的研究就十分具有挑战性，沈亦晨向来就是喜欢挑战的人，他喜欢一个个谜题在自己手中解开的感觉。

在2016年时沈亦晨创立了自己的第一家公司，主要立足于使用太阳能发电和移动电子显示的方向，接着沈亦晨觉得只研究表面无法得到突破，于是他又成立了一家公司 曦智 科技 ，该公司的目标是要生产出光子芯片，这也正式开启了沈亦晨研究光子芯片的道路，沈亦晨和团队在研究中，建立了一个光学神经网络架构技术，在此技术下架构出来的芯片，就是一个可以变成的纳米光子处理器，能够取代传统电子晶体管，改进电子晶体管的性能 延迟 功耗问题，如果这光子芯片能够研发成功，将会带来飞跃性的进步。

不仅是原电子芯片计算能力的一千倍，它的耗能还将低于电子芯片一百倍，可别小看这一百倍的降低耗能，现在 社会 追求的都是一个低耗能，节约一切资源长途发展，光子芯片能使得全球数据服务器的用电量大大减少，而且应用面也会更加广，对增强现实 自动化等领域助益极大，沈亦晨凭借着这个研究，在2017年将学术成果报告发表在了顶级期刊上，业界为之震动，纷纷夸赞，而沈亦晨在当年也拿下了，麻省理工和哈佛大学 科技 创新赛的第一名，2018年沈亦晨刚成立不到两年的曦智 科技 ，就获得了百度和美国半导体企业的投资，金额高达1000万美元，折合人民币6500万。

现在的沈亦晨还在继续研究光子芯片，他在前几年的突破性进展，为现在中国缺芯的僵持局面，撕开了一道裂口，力挽狂澜般辅助我国解决芯片问题，沈亦晨的曦智 科技 目前已经建立了，设备更为先进 功能更为齐全的光学实验室，全力研发光子芯片的相关技术，虽然一时半会儿还不能马上上线光子芯片，但是只要开始永远不晚，正是有像沈亦晨这样优秀的青年人才，有决心有毅力，热爱学术研究，并且能够将理论与实际结合，勇于担当起兴国重任，才让我国现有的芯片技术快速发展，如今我国7纳米GPGPU芯片已经面世，中芯国际也在进军7纳米SOC芯片的研究，相信在未来，我国一定会“芯心满满”。

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

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