光刻板正版和负版区别

光刻正版是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。

负版是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

太阳电池是将太阳能转换成电能的半导体器件，栅线是电池的重要组成部分，它负责把电池体内的光生电流引到电池外部。

研制太阳电池前总要预先进行栅线设计，制作出栅线的光刻板，栅线的尺寸是根据预先设定的电池参数(开路电压Voc、短路电流密度Jsc、最大工作点的输出电压Vm和输出电流密度Jm等)值设计的。栅线设计的优良与否，对电池片的影响很大。