mems工艺和半导体工艺的区别

mems工艺和半导体工艺的区别：

1、MEMS加工技术工艺是根据产品需要，在各类衬底（硅衬底，玻璃衬底，石英衬底，蓝宝石衬底等等）制作微米级微型结构的加工工艺。而ic工艺则侧重于半导体器件的制作，其衬底基本以硅衬底为主，少数特殊器件会使用GaAs/GaN等材料，其工艺核心是为了制作高集成度的各类器件，目前已经做到纳米级，特征尺寸更加精细。MEMS加工技术工艺制作的微型结构主要是作为各类传感器和执行器等，其中更加器件原理需要而制作的可动结构（齿轮，悬臂梁，空腔，桥结构等）以及各种功能材料，本质上是将环境中的各种特征参数（温度，压力，气体，流量等等）变化通过微型结构转化为各种电信号（电压，电阻，电流等）的差异，以实现小型化高灵敏的传感器和执行器。

2、半导体工艺指半导体制造工艺，工艺过程多晶硅到区熔或直拉到单晶硅棒到滚、切、磨、抛到硅片，硅片是一种硅材料通过加工切成一片一片的。硅是一种硬度很高的物质，硅材料看起来像石头一样，他要经过清洗干净然后用炉子加热融化形成一个大块的硅锭，然后再用特定机器来进行细切成一片一片。

据统计，2000 年至今是 Fabless（无晶圆）类公司快速发展时期，此前全球半导体行业主要遵循的是设计、制造一体化的 IDM(Integrated Device Manufacture,集成器件制造)发展模式。根据市场统计结果，去年全球半导体产值超过 3700 亿美元，其中 65%到 70%左右是由设计制造一体的 IDM 公司贡献的。主要贡献者 Intel、三星，这两家今年的产值将达到 1000 亿美元。 坚持三个技术方向作为一家中国本土 IDM 公司，士兰微拥有自己的生产线，主要用于生产特色工艺的产品。陈向东说：在特色工艺上，我们将沿着三个方向走。 第一个方向是 MEMS 传感器。士兰微的 MEMS 传感器项目得到了国家 02 科技重大专项的支持，给了很大的鼓励。其重点是开发三轴加速度传感器、三轴陀螺传感器、空气压力传感器。到目前为止，除了这几款产品，还推出了六轴的惯性单元，以及红外光感、三轴地磁传感器和硅麦克风等产品。目前，士兰微是国内唯一一家有能力为国内主要手机厂商提供除摄象头和指纹传感器外所有其他全部传感器产品的企业。 第二个方向是高压集成电路，这一业务支撑了士兰微的电源管理，包括高压半桥产品的发展。尽管士兰微在高压芯片方面属于国内进步很快的企业，但陈向东指出，有些工艺目前在士兰微现有的 6 英寸生产线上还较难做到最好的性价比。 第三个方向是半导体功率器件。IGBT 是现在市场上大热的产品，也是士兰微选择必须做出名堂的技术方向。现在士兰微的功率器件产量在国内也是名利前茅，IGBT 现有的 6 英寸生产线一个月投片已经达到 12000 甚至 15000 片。 近期抓好两个产品方向陈向东说，在确定 3 个技术方向后，近期士兰微将关注两个产品方向。 一个是 MEMS 传感器。现在，在智能手机、物联网及可穿戴设备上，MEMS 传感器有着广泛的应用，市场上的需求量会非常大。不过对于这种产品，只有设计制造一体的企业才有机会发展好，纯 Fabless 公司做 MEMS 传感器难度会非常大，未来的发展也会有瓶颈。 二是功率模块。最近三年，白电技术有了很大的进步，主要体现在变频技术上。如变频空调、 变频洗衣机已经非常普遍。另外，LED 照明、工业机器人、乘用车和电动汽车等都会大量使 用功率器件。现在全球的功率器件如 IGBT 产品主要被欧美公司和日本企业垄断，这类产品对技术开发要求比较高。士兰微现在正好赶上这班车，其功率模块的开发已经积累了六七年的经验，现在成长速度很快。士兰微的变频模块在国内几家主要白电厂家中已经有上百万颗以上的供应量，预估未来几年的供货量将倍增。 最重要的是，这些产品均由士兰微自己的研发团队研制，包括 MEMS、IGBT 等系列产品。 打下三个基础士兰微坚持按照 IDM 模式走到今天，除了三个技术方向、两个产品方向之外，还有哪些积累呢？陈向东表示：“我们还打下了三个基础。一是建立了完整的产业链。现在的士兰微已经具备芯片设计、制造、封装等全产业链生产能力。芯片制造现有 5 英寸和 6 英寸产线各一条，这两条芯片生产线建于 2001 年和 2005 年，到现在为止，产出为每月 21 万片。在 6 英寸及以下产线的产能上，士兰微排名全球第五位，这是相当不容易的。此外，特色封装还是士兰微在功率器件和 MEMS 传感器产品上取得突破的重要保证。”

通信跨考mems难的。根据查询相关资料得知，首先通信学习的与mems学习的是完全不同的，是两个概念的，去跨考的难度是很大的，通信工程跨专业可以考信号与信息处理专业还是比较简单的，但是跨考MEMS是很难的。

---