半导体器件常用的仿真模拟软件有什么？ 有comsol，还有哪些？ 以及它们的优缺点或互补。

楼主的提问，就有点带偏别人的感觉，或者，你已经被别人带偏了。

首先，半导体是一门非常专业的学科，半导体器件仿真肯定需要专业的仿真软件，而通用CAE类的软件是无法解决大多数技术细节问题的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE软件，据我了解前者在低频电磁，电化学，这一块还可以；中者，包含了很多软件，体系庞大却没好好消化，对这个了解的少，不发表意见；后者，材料，结构、岩土用的多；

其次，半导体器件仿真，这行业里站在高处的大牛，还是用TCAD类的软件较多，可以了解下国内主要做半导体的单位，高校、研究所、企业，基本上都是用这些软件，Synopsys的算一个，Crosslight算一个，NEXTNANO算一个，，，，，等等，其实很简单，你把这些软件放在网上一搜别人做的成果就知道哪些软件用的多，出的成果多；

不过，像Synopsys这类自己就做半导体的这类厂家，考虑到知识产权和保密问题，有一定的知识壁垒，所以这类的软件傻贵傻贵。NEXTNANO算是比较学术的一个，很久之前是开源的，现在借助他们的学校和研究所，正在走商业化，毕竟要存活嘛；

如果要学习TCAD软件也不容易啊，运气好的话，可以碰到技术比较过硬，而且还靠谱的厂家或者工程师，还会多帮忙指导指导；如果碰到只顾卖产品，无技术服务，那就惨了，，，，此为后话，一定要擦亮双眼，多做技术沟通和交流。很多技术型的公司非常乐意做技术交流的，双方互相学习共同提高嘛。

国内自己的自主研发的半导体软件，极少啊；国内做大型的工程计算软件，毕竟在前期缺少了知识储备和经验积累，现在别人制裁，就没辙了，哎，扯远了........

光伏半导体领域的专业软件业内有很多，我了解到常用有以下几类。一、PolySim软件-------改良西门子法多晶硅，该软件主要面向光伏半导体上游企业工程师及相关院所研发人员，可以模拟整个还原过程，进而实现工艺参数优化及反应器设计改进。其模拟计算结果主要包括还原炉产率、单耗、硅转化率、电流参数、气体流量、硅棒中心温度、硅棒表面的气体消耗、气体流动条件及总能耗等参数。二、CGSim软件-------可以模拟提拉法（CZ）、液封直拉法（LEC）、蒸汽压力控制提拉法（VCZ），泡生法（Ky），热交换法（HEM）、定向凝固法（DS），布里奇曼法（亦称坩埚下降法）晶体生长过程。软件能够对晶体生长过程的温场、流场、晶体热应力、炉体中的温度分布以及固液界面等等进行分析， CGSim软件包中包含以下几个基本工具：CGSim二维模块、缺陷模块、动态直拉模块、三维流体模块。用View 2D和CGSim Viewer软件工具可以可视化观察模拟结果。三、VR（Virtual Reactor）系列软件-------根据生长原理不同，该软件主要有以下版本: 物理气相沉积：•生长SiC : VR-PVT SiC™•生长AlN : VR-PVT AlN™•氢化物气相外延生长: HEpiGaNS™•生长GaN•生长AlN 、AlGaN和InGaN •化学气相沉积•生长SiC: VR-CVD SiC™金属有机气相物理外延：•MOVPE法生长III-N族晶体: VR NE™•MOVPE法砷化物和磷化物晶体生长: VR III-V™四、SimuLED(LEDs与LDs)软件-------适用于发光二极管与激光二极管，SimuLED软件包包含三个模块，即SiLENSe， SpeCLED和RATRO。该软件主要用于：1、 优化和设计LED结构与芯片2、 模拟LED芯片的IV特性3、 模拟LED芯片的LOP－I特性4、 模拟LED芯片的出光率五、PVcell--------适用于半导体太阳能电池的模拟优化，不同的偏压的一系列计算可以得到IV特性，转换效率，短路电流，开路电压和填充因子。不同的激发波长一系列计算可以找出IQE和EQE的光谱依赖性。在给定的电压下，经PVcell模拟计算可以得到以下结果： 电流密度、 功率、 转换效率 ；能带图、 电势、 电场 ； 载流子和电离的杂质浓度 ；生成率，复合率 （不同通道） ；部分的电子和空穴电流密度。好辛苦的，采纳吧。。。

中科院半导体所2022年度“科创计划”项目已经开始申请，我在系统中提交了三个题目：1硅光探测器与激光器的设计与优化 2 机器学习与半导体光电子器件 3 光电子仿真平台开发。我同事提交的题目：1 智能检测机器人 2 可穿戴电子 3 新型生化传感器 。有兴趣的可以报名，也可以直接联系我，咨询详细的情况。联系方式：微信同手机号：15652189835。我同事手机号：19901209106。科创计划的实际通知如下：

一、资助方式及资助对象

“科创计划”以科研项目的形式进行资助，项目执行期一般为6-12个月。

资助全国高校二年级或三年级本科学生。申请者需要具有一定的创新意识和科研探索精神，具有浓厚科研兴趣和扎实的基础理论知识。

二、项目开展程序

（一）学生网上填报项目申请

有意向的学生在与项目指导教师充分沟通后，登录中国科学院大学科教结合协同育人行动计划（http://kjxt.ucas.ac.cn/index.php/zh/），选择科创计划进行注册，然后在网上进行项目填报，请注意随时保存信息。全部填报完毕并确认无误后，点击提交，下载并打印申请表，请学籍所在学校（或学院）签字盖章后于2022年6月17日前寄至半导体所研究生部。

注意：

1.项目申请学生需要获得学籍所在学校（或学院）的同意。

2.学生递交研究所的签字盖章后项目申请表需要与网上保存提交的申请表版本完全一致。

3.项目申请指南和系统使用说明在系统登录后可查询。

（二）研究所审核与立项

研究所主管部门收到学生报送的纸质版《科创项目申请表》，联系相关指导教师进行审核并签字确认。

研究生部将组织专家进行评审，并在科教协同系统的科创计划内填报项目执行期限和项目经费额度，完成项目审核立项。

系统维护项目立项信息后，学生将自动收到项目立项的邮件通知，同时学生也可在系统中查询到立项信息。

（三）项目结题总结

学生在项目完成1个月内，需要在科教结合协同育人行动计划科创计划内登录原报名账号提交项目总结，并打印自动生成项目总结。签字后报指导教师审核签字，研究生部签署意见后归档

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