电力半导体的工作状态是什么

开关状态。

根据相关资料显示电力半导体的工作状态是开关状态。

电力半导体器件是进行电力变换和控制的大功率器件。可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主要用于整流器、逆变器、斩波器、交流调压器等方面，广泛用于工农业生产、国防、交通等各个领域。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

过载能力弱、容易损坏、抗干扰能力差。

过载能力弱，在过电流、过电压情况下过载能力弱，在过电流、过电压情况下很容易损坏，容易损坏，抗干扰能力差，导致电网电压波形畸变，高次谐波分量增导致电网电压波形畸变，高次谐波分量增加，干扰周围的电气设备，控制电路比较复杂。

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