
1、压力可以改变稀磁半导体的能带宽度,从而改变载流子特性、增强铁磁交换作用,进而调节材料的居里温度。
2、他们利用金刚石压砧结合X射线磁圆二色(XMCD)等谱学技术,证实了物理外压对BZA铁磁性的有效调控,研究结果进一步表明在不引起晶格畸变的前提下压缩晶胞体积,将能进一步提升BZA居里温度。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

1、压力可以改变稀磁半导体的能带宽度,从而改变载流子特性、增强铁磁交换作用,进而调节材料的居里温度。
2、他们利用金刚石压砧结合X射线磁圆二色(XMCD)等谱学技术,证实了物理外压对BZA铁磁性的有效调控,研究结果进一步表明在不引起晶格畸变的前提下压缩晶胞体积,将能进一步提升BZA居里温度。
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