怎么测量半导体薄膜的电阻率

测量半导体电阻率的方法很多，按是否与样品接触可以分为两类，即接触式和非接触式。常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-V测量等。对于体单晶的电阻率测量，生产中应用最普遍的是四探针法；对于半导体晶片的电阻率测量，微波法等非接触式测量方法由于使用方便、不损坏样品，因而应用也越来越多。

希望对您有帮助。

不同方向，不同测量接触位置和面积，电阻都不同，如果你想测量半导体的圆片的两个圆面之间的电阻，方法很简单，找两片面积大于圆片的铜板，分别与两个圆面接触，测量两个铜板之间的电阻即可，铜板的电阻对半导体不会产生影响

（1）选择适当的倍率档，使指针尽量接近标度尺的中心部分，以确保读数比较准确。在测量时，指针在标度尺上的指示值乘以倍率，即为被测电阻的阻值。 （2）测量电阻之前，或调换不同倍率档后，都应将两表笔短接，用调零旋钮调零，调不到零位时应更换电池。测量完毕，应将转换开关拨到交流电压最高档上或空档上，以防止表笔短接，造成电池短路放电。同时也防止下次测量时忘记拨档去测量电压，烧坏表头。（3）不能带电测量电阻，否则不仅得不到正确的读数，还有可能损坏表头。 （4）用万用表测量半导体元件的正、反电阻时，应用R*100档，不能用高阻档，以免损坏半导体元件。（5）严禁用万用表的电阻档直接测量微安表、检流计、标准电池等类仪器仪表的内阻。

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