中国科学院半导体研究所的简介

1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所），开启了中国半导体科学技术的发展之路。

半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；两个院级实验室（中心）—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心。此外，还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、半导体材料科学中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和半导体能源研究发展中心。并成立了图书信息中心，为研究所提供科研支撑服务。

半导体研究所现有职工640余名，其中科技人员460余名，中国科学院院士8名，中国工程院院士2名，正副研究员及高级工程技术人员198名，“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者35名、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖。设有5个硕士学位授予点，3个工程硕士培养点，4个博士学位授予点，3个博士后流动站。

半导体所高度重视国内外交流合作，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室，积极为企业和区域经济社会发展服务。同时积极开展多层次、全方位的国际学术交流与合作，成绩显著，科学技术部和国家外国专家局批准成立“国家级国际联合研究中心”。并且以自主知识产权的专利和专有技术投资，融合社会资本建立了10余家高技术企业，并实施科研成果转化为现实生产力，已初步形成产业化、商品化规模。

半导体所秉承“以人为本、创新跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念，奋斗不息，勇攀高峰，取得了快速发展，研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。

半导体所的中长期发展战略目标是：开展与国家发展密切相关的、世界科技前沿的基础性、前瞻性、战略性科技创新活动，为发展我国的高新技术提供源源不断的动力；以国家战略需求为导向，开展战略高技术研究，为国民经济和国防建设提供科技支撑，并为相关行业的技术进步作出贡献；吸引、聚集和培养国际一流人才；建立具有国际先进水平的、开放的实验研究和测试平台，实现科技创新能力的跨越和持续发展，成为引领我国半导体科学技术发展的火车头。

1、郭永怀

郭永怀是力学、空气动力学和应用数学方面的专家，是中国核武器事业的奠基人之一，是“两d一星”的元勋。郭永怀为国防工业做出巨大贡献，可惜在一次飞机失事中早早殉国。1968年12月，郭永怀发现了一项重要数据，赶忙乘飞机回北京汇报工作，没想打飞机在降落时突然出现故障。

飞机坠毁，机上人员全部牺牲。当人们找到飞机残骸中郭永怀的遗体时，郭永怀和他的警卫员紧紧拥抱在一起，一份文件被夹在两人的遗体中，完好无损地保存了下来。

2、邓稼先

中国科学院院士，著名核物理学家，中国核武器研制工作的开拓者和奠基者，为中国核武器、原子武器的研发做出了重要贡献。

邓稼先是中国核武器研制与发展的主要组织者、领导者，邓稼先始终在中国武器制造的第一线，领导了许多学者和技术人员，成功地设计了中国原子d和氢d，把中国国防自卫武器引领到了世界先进水平。

3、黄昆

世界著名物理学家、教育家、中国固体物理学先驱、中国半导体科学技术奠基人。

1977年10月任中国科学院半导体研究所所长，为中国半导体科学技术的复苏发挥重要作用。1955年当选为中科院院士（学部委员）、1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士、1985年当选为第三世界科学院院士。2001年获国家最高科学技术奖。

4、闵乃本

闵乃本院士于上世纪 60年代初开始从事晶体生长、晶体缺陷与晶体物性研究；提出了“介电体超晶格”的概念，建立了“多重准位相匹配理论”；他和合作者研究发现了介电体超晶格中准相位匹配d性散射和非d性散射的增强效应。

发现了微波与超晶格振动强烈耦合所引起的极化激元新机制；揭示超声波在介电体超晶格中的传播规律；还将Frank 螺位错机制与理论推广为更为普遍的缺陷机制与理论，成为经典晶体生长理论近几十年来最重要的发展之一。

5、卓仁禧

著名化学家、我国生物医用高分子材料重要奠基人之一、中国科学院院士。

卓仁禧院士毕生从事有机硅化学和生物医学高分子等方面的研究工作。他屡担国家重任，从研制光学玻璃防雾剂，到彩色录像磁带粘合剂和助剂等，不断攻坚克难，成功解决了不少关乎国防及民生的难题。

中科院的半导体所挺好的，中国科学院半导体研究所于1960年成立，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。

据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有14个科研机构，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室。

拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，包括5个二级学科博士培养点。拥有5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点。共有职工690余名，在学研究生近600名。

2019年，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。

以上内容参考：百度百科--中国科学院半导体研究所

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