对半导体性能都有很大影响的外界因素有哪些

对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温度有关；载流子迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。

光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。

压力影响：压阻效应。

接触影响：形成pn结、金属-半导体接触等。

电场影响：可产生场致发射等。

磁场影响：半导体的Hall效应远大于金属。

气氛影响：表面状态与气氛有很大关系。

我来回答一下，本人某电微电子科学与工程专业，有表述不当之处，望批评指正。影响半导体禁带宽度的因素主要有两种：温度与掺杂浓度。（以si、Ge、GaAs半导体为主）1、半导体禁带宽度具有负温度系数： 从原子到晶体，经过价键杂化（即：sp3杂化），一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时，晶体的原子间距增大，能带宽度虽然变窄，但禁带宽度却是减小的。（这里解释一下，虽然原子间距增大了，并且能带宽度变窄了，但是此时有多条能带，相对来说，禁带宽度是变小的）；2、掺杂浓度升高时，由于杂质能级的出现，可能导致禁带宽度变窄：其实这一点从本质来解释是不太好理解的，我这里举个例子，再给出我个人的一些理解，希望可以帮助你理解这一点。例：在BJT中，发射区高掺杂会导致禁带宽度变窄。我个人理解是，有了杂质能级的加入，导电性增强，就像把禁带宽度一分为二，原先的阻碍减少了一部分，相当于禁带宽度变窄了。（纯属个人理解）

现在更多的只是猜测，由于现在日本和韩国之间只有一个劳工赔偿问题明显存在。所以到了现在这些条款出现，大部分原因猜测是韩国方面不同意日本的提议。在这种规则下面的谈不拢，日方可能开始了侧面的打击。这也是现在最为明显的矛盾点，具体的表现还是需要两方国家的申明。毕竟到了现在问题放大，已经是一个可大可小的事情。

在出口材料中，三种材料日本均是优势。两种材料得到百分之90的占比，另外一种达到百分之70的存在。日本方面可是稳定的强大，反观世界需求都是一个问题。现在对于韩国的这种限制，真的很难想象控制。

不过这肯定不是商人们想要的，日本媒体称现在商人想要办理出口，至少需要90天的时间才能获得文书。这就需要韩国方面能否坚持到90天的存在了，不过韩国媒体方面称短时间内是不会有问题的，甚至还会在国内寻找新的供应商或者考虑再次谈判和选择出口。

另外一方面，半导体确实是现在的重要一点。现在屏幕需求并不是只有韩国存在，这也让世界格局出现了一些问题。很多国家呈现垄断的问题。另外对于这种情况，WTO规则上韩国方面并没有提及。这也是问题还在沉默的关键了，如何处理好这次的出口事件，将会是一次重要的案例。或许再次谈判的几率比较大，毕竟日本方面可能会出现内部竞争的情况。

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