
1、氧化铝的厚度与其形成电压有关,一般为1.4~1.5nm/V。
2、形成电压与额定工作电压也有关,一般为额定工作电压的1.2~2倍。
3、如果额定电压是450V,那么形成电压最大是900V,厚度最大是900*1.5nm=1350nm,即1.35um。
熔融状态(或高压、水溶、催化条件下)的离子氧化物可以,其他的都不行。因为这样的氧化物有可以自由移动的离子,便可导电。回楼上的话,三氧化二铝固然可以导电,因为它是离子化合物,但楼上并没有讲出最本质的原因。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

1、氧化铝的厚度与其形成电压有关,一般为1.4~1.5nm/V。
2、形成电压与额定工作电压也有关,一般为额定工作电压的1.2~2倍。
3、如果额定电压是450V,那么形成电压最大是900V,厚度最大是900*1.5nm=1350nm,即1.35um。
熔融状态(或高压、水溶、催化条件下)的离子氧化物可以,其他的都不行。因为这样的氧化物有可以自由移动的离子,便可导电。回楼上的话,三氧化二铝固然可以导电,因为它是离子化合物,但楼上并没有讲出最本质的原因。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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