退火的技术

半导体退火

半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位，将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。

蒸发电极金属退火

蒸发电极金属以后需要进行退火，使得半导体表面与金属能够形成合金，以接触良好（减小接触电阻）。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点（对于Si-Al合金，为570度）。

虽然半导体中的分析方法和溶液的电化学的概念有些不一样，但是分析方法基本一样的

半导体中的fermi能级和溶液化学电位的差异导致了电子的移动，正如pn结之间因为fermi能级差异而形成了depletion region和built-in potential

还应该注意的一点是半导体中的电子导电和溶液中的离子导电，这在分析具体问题中应该注意。

半导体和溶液接触时会形成双电层，更具体的你可以baidu或者参考半导体电化学以及溶液电化学等方面的书籍，应该有很多的。

将金属颗粒如：铝，黄金等加热至气态，在充满N2气体的环境下，蒸发到腔内上方圆片表层，圆片固定在行星盘内不停旋转。这种工艺一般用于熔点较低的金属，优点是表面金属膜比磁控溅射平台的工艺更加均匀，缺点也显而易见，镀膜耗材比较浪费

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