一般制备gaas薄膜用什么方法

硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。

你所说的提高转化率是提高什么转化率？

如果是生成二氧化钛的转化率提高，那是不可能的，因为二氧化钛很稳定，也不太可能挥发；只是高温时得到二氧化钛的结构更致密，看起来体积小一些而已。

如果以二氧化钛膜去做催化剂，那低温下得到的二氧化钛比表面积大，催化效率会更高，这是可以理解的，但催化效率与转化率是两码事。

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