半导体metro是什么工艺

metro是metrology的简称，是半导体芯片过程工艺控制的一种，在前道测试设备也称作过程工艺控制中（Semiconductorprocesscontrol），可以进一步细分为缺陷检测（inspection）和量测（metrology）主要进行物理和功能性方面的测试，在晶圆生产过程中，每完成一步工艺都需要用相应的测试设备来检测产品良率和缺陷。

英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor；Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管。它有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路

NMOS工艺就是制作NMOS器件的工艺，属常规半导体工艺。

NMOS的结构如下：

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

p-podyimp是什么意思在半导体中:

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构，因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。

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