mocvd设备工作原理

MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。原理~~~~~MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。组成因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。 一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动 *** 作及电控系统。

金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种合成方法，尤其适合于膜合成。

而发光二极管（LED）是一种半导体器件，本无关联；只是LED中广泛用到膜技术制造。

成膜技术很多，除了MOCVD外，还有低压CVD(LPCVD)，等离子体增强CVD (PECVD)，液相外延(LPE)，溶胶凝胶(sol-gel)，化学浴沉积(CBD)等等，种类繁多，可见LED器件并不是必须使用MOCVD法。

生产蓝宝石衬底的企业暂时没有几个在同时生产外延片，除了向三安光电那样做了外延片之后又往前做衬底片的，因为外延片的资本技术等投入不是一下两下就能搞的定的，像蓝晶四联只做衬底，不做外延，但是四联可以做后道封装，所以大部分的衬底厂家不做外延片。

MOCVD是氮化镓层在蓝宝石衬底片上生长的一种方法，又是因为这样的方法，所以一般又把这种机器叫MOCVD，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

泡生法是一种蓝宝石晶体的长晶方法，又叫KY（Kyropoulos）法，这种方法是将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长，为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以改善熔体的温度分布。也可以缓慢的（或分阶段的）上提晶体，以扩大散热面。

MOCVD跟泡生法两者没有什么关联，如果非要说联系，那就说泡生法生长的晶体材料的品质问题会在MOCVD外延后有一定的体现。

希望对你有用。

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