相对于其他的光热材料，cus纳米材料有什么优点

除味、杀菌、韧性强、延长老化时间等。

缺点：

一、点缺陷，如空位，溶质原子和杂质原子等，这是一种零维缺陷。

二、线缺陷，如位错，一种一维缺陷，位错的线长度及位错运动的平均自由程均小于晶粒的尺寸。

三、面缺陷，如孪晶、层错等，这是一种二维缺陷。纳米晶粒内的位错具有尺寸效应，当晶粒小于某一临界尺寸时，位错不稳定，趋向于离开晶粒，而当粒径大于该临界尺寸时，位错便稳定地存在于晶粒内。

位错与晶粒大小之间的关系为：

1）当晶粒尺寸在50～100nm之间，温度<0.5mTm时，位错的行为决定了材料的力学性能。随着晶粒尺寸的减小，位错的作用开始减小。

2）当晶粒尺寸在30—50nm时可认为基本上没有位错行为。

3）当晶粒尺寸小于10nm时产生新的位错很困难。

4）当晶粒小于约2nm时，开动位错源的应力达到无位错晶粒的理论切应力。

【扩展】

纳米材料

①纳米定义：纳米是长度单位,1nm＝10-9m即:十亿分之一米；

②当材料的微粒小到纳米尺寸时，材料的性能就会发生显著变化．如：黄金在正常情况下呈金黄色，而它的纳米颗粒却变成了黑色，且熔点显著下降；

在半导体领域的应用

碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。

第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。