
光照影响:可产生非平衡载流子,导致光电导。
压力影响:压阻效应。
接触影响:形成pn结、金属-半导体接触等。
电场影响:可产生场致发射等。
磁场影响:半导体的Hall效应远大于金属。
气氛影响:表面状态与气氛有很大关系。
高温反偏试验HTRB,主要是考核器件的高温长期耐受性和寿命预测。在高温下施加反压的结果,更容易曝露出器件内部的原有缺陷。因此,正常情况下,经过高温反偏试验后的器件,耐压会略有下降。当然如果下降太多,比如低于70%额定电压,那器件就属于不合格了。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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