Intel 3、Intel 18A都是啥？英特尔2025制程路线图浅析

英特尔CEO基辛格曾经表示，希望在2025年英特尔能够重返产品领导者的地位，而就在上个月，英特尔在活动上正式透露了2025年目标计划，包括未来5代工艺制程节点线路图，通过彪悍的战略意图超越所有竞争对手，顺带还重新定义命名规则。

如同80486到奔腾，从奔腾到酷睿，每一次英特尔重大改名决策背后，几乎都会带来一段强劲的技术飞跃。这一次，就让我们抽点时间，聊聊英特尔的2025路线图应该怎么理解。

先说结果

如果你想简单了解整件事情，那么下面的表格应该可以帮助你最简单了解英特尔的时间节点。与往常一样，英特尔的技术用于生产和零售之间是有区别的。例如每个工艺节点可能存在数年，新的工艺与是否投入到实际产品中仍然要看市场运营状况，这里你可以理解为AMD再加把劲，让英特尔的牙膏挤猛一点。

回顾今年早些时候基辛格给出的IDM2.0战略，你可以理解在战略中一共3个要素，分别是：

可以看到第一点和第三点英特尔都在着重强调如何贯彻自己的工艺节点开发节奏，基辛格在近期的2021第三季度财报前瞻电话会议中曾表示，目前英特尔每天生产的10nm晶圆已经超过14nm，这标志着英特尔已经实现了向10nm工艺制程的转变。同时在今年6月份，英特尔还表示下一代10nm产品还需要额外的验证时间，以简化2022年在企业级产品上的部署。

（手机横屏观看更佳）

仍然需要注意，虽然英特尔一直在强调10nm工艺制程与对等产品的优越性，但台积电7nm和5nm的设计在事实上已经超过了英特尔量产芯片的晶体管密程度，并在出货量上超越了英特尔，这也是为什么基辛格全力推动英特尔内部全面改革，并获得董事会支持的动力所在。

Pat Gelsinger

因此这一次路线图的公布就变得非常重要了，这将代表着英特尔未来4年的战略节奏，或者调侃一点说是挤牙膏的进度。从整体上来看，英特尔正在积极改进新品提升进度，以及让技术之间更为模块化匹配更为成熟。

在IDM 2.0战略中推动整套技术发展的实 *** 人是去年被任命为英特尔技术与制造总经理安凯乐（Ann B. Kelleher），这个部门在2020年7月份成立，专注纯粹的技术开发，安凯乐本人在英特尔已经担任了26年工程师，先后管理过Fab 24（爱尔兰），Fab 12（美国亚利桑那），Fab 11X（美国新墨西哥州），以及在英特尔总部担任过制造与运营部门总经理。

Ann B. Kelleher

在会议上，安凯乐博士表示，已经在供应商、生态系统学习、组织架构、模块化设计策略、应急计划上做出了重大改变，同时技术团队也将以更精简的方式运行。英特尔将重返技术领先地位目标定义为“每瓦性能指标”表现，也意味着芯片的峰值性能仍然是英特尔发展战略重要计划的一部分。

Fab 11X

接下来，开始我们的长篇大论。

英特尔工艺制程新命名：重新定义有多小

英特尔重新命名工艺制程名称目的是更好的符合现在的行业命名方式，显然在营销手段上，打不过对方耍流氓，最有效的方式就是加入对方，并在其中依靠业界领导能力重塑业界规则，这一点英特尔是相当有魄力的。

其实在大众认知中，英特尔10nm技术等同于台积电7nm已经不再陌生，2D平面转向3D FinFET的时候，数字表达和物理情况之间再无直接关联，在三星带头下沦为营销工具，这样的混乱已经持续了五年之久。

现在我们先把英特尔公布的线路图放出来：

2020年，英特尔10nm SuperFin。 应用于Tiger Lake和Xe-LP独立显卡解决方案SG1和DG1，名称保持不变。

2021年下半年，Intel 7。 应用于Alder Lake和Sapphire Rapids至强可扩展处理器，以前被称为10nm Enhanced Super Fin，相当于10nm制程的晶体管优化产品，每瓦性能相对10nm SuperFin提升10%到15%。其中Alder Lake已经开始批量试产，也就是我们所期待的即将翻盘的12代酷睿。同时在GPU方面，英特尔Xe-HP也划入Intel 7的范畴中。

2022年下半年，Intel 4。 在此之前被称为Intel 7nm，应用于Meteor Lake和下下一代至强可扩展处理器，目前正在实验室测试阶段。英特尔预计每瓦性能能够比上一代提升20%。Intel 4主要会在后端制程（BEOL）中使用更多的极紫外光刻（EUV）。

2023年下半年，Intel 3。 此前称为Intel 7nm+，将增加EUV和高密度库（High Density Libraries）的使用。这里英特尔新模块化战略将会起到作用，例如Intel 3和Intel 4制程将共享一些特性。相对Intel 4，Intel 3每瓦能够提升约18%。

2024年，Intel 20A。 从这里开始就是英特尔制程的转折点，A代表埃米Ångström，10Å等于1nm，在此之前被称为Intel 5nm。由于英特尔在这个时间点将从FinFET转向RibbonFET，即环绕栅极晶体管设计（GAAFET）方向，原来的5nm称呼其实是不准确的。与此同时，英特尔还在这一代工艺上使用PowerVia技术，将供电模块与计算模块尽可能分离，确保信号不受到干扰

2025年，Intel 18A。 无论是技术沟通会议，还是ChinaJoy2021现场英特尔产品总监的分享，分享细节基本到Intel 20A就结束了，但实际上在2025年之后英特尔工艺制程还将迈入Intel 18A。这里将使用ASML最新的EUV光刻机High-NA，能够进行更精确的光刻 *** 作。英特尔表示他们已经成为ASML在High-NA方面的主要合作伙伴，现在已经开始测试第一台High-NA模型。

如果我们把上述的资料进行简略整理，能够看到一个很清晰的思路：

仍然需要注意的是，上面的时间节点只代表工艺节点可能准备就绪的时间，实际产品发布仍然会有变数。例如采用Intel 7工艺的Alder Lake是今年到明年初CES上市，而Sapphire Rapids则可能会到2022年。

为什么要给制程工艺重新命名？

这可能是大多数玩家最关心的一点。无论是英特尔还是对手三星、台积电，用更小的工艺密度名称来展现产品竞争力仍然是主流做法，如果英特尔使用类似台积电、三星奔放的工艺制程命名规则，可能实际 *** 作中市场部仍然需要表达在同等制程称呼下，英特尔的晶体管密度仍然高很多。

因此切换命名赛道可能才是一个最理智的做派，并且也能很好表达在工艺节点没有提升的情况下，实际表现仍然有明显的进步。以Intel 7为例，原来冗长的名称为10nm Enhanced Super Fin，相当于10nm Super Fin的进阶产品，听起来似乎英特尔又在挤牙膏了。

实际上并非如此，比如10nm到10nm Super Fin看似只加长了命名，实际上使用了新的SuperMIM电容器设计，并带来了1GHz以上的频率提升，因此10nm Super Fin到Intel 7之间也注定意味最终性能上的变化。从目前的初步判断来看，每一代工艺的进步，至少可以带来5%到10%的每瓦性能提升，变化很明显。

事实上这套命名思路已经被三星和台积电玩的炉火纯青，例如三星会在8LPP节点设计的基础上，不断的优化，进而衍生出6LPP、5LPE和4LPE，只有到3GAE的时候才会完成全新的技术迭代。同样，台积电10nm、7nm实际上是16nm工艺的优化设计，属于同一个工艺制程节点范围内。但如果看英特尔从Intel 7到Intel 3之间的发展，将会完成2个，以更快的速度完成工艺迭代，也就是英特尔重返巅峰的重要举措之一。

说个题外话，如果当年英特尔将14nm+改名为13nm，14nm++改名12nm，在台积电批量出货5nm产品之前，也许英特尔的处境看起来似乎也没什么太大的问题。

ASML扮演关键角色

在英特尔的报告中，我们会发现ASML无论在任何时间节点都变得非常关键。由于它是目前世界上唯一一家能够给英特尔提供生产机器的公司，英特尔也注定要在ASML上花费大量的资金，以及持续的技术投入。

在这个即将接近“上帝穹顶”的半导体工艺制程领域里，指望一家独大完全是异想天开，早在2021年，英特尔、三星、台积电都对ASML进行了投资，目的就是加速EUV开发，同时将300mm晶圆迁移到4500mm晶圆上。特别是英特尔的21亿美元投资使他们获得了ASML 10%的股份，并且英特尔也表示会持续投资直至增加到25%的占比。

有趣的是，ASML已经在2021年达到了2680亿美元，已经超过了英特尔的市值。

台积电在2020年8月份的一个报告中显示，ASML的EUV光刻机中，有50%用于前沿工艺，而直至现在英特尔还没有任何产品使用EUV制造，直至Intel 4中的后端制程（BEOL）才会加大力度。目前为止，ASML仍然有50台EUV光刻机延迟交付，并计划在2021年生产45到50台EUV光刻机，2022年产量达到50-60台，每台设备标价1.5亿美元，安装时间需要4到6个月。

ASML的缺货也可能给促使英特尔选择在Intel 4发力的原因，但更重要的是，ASML下一代EUV技术，即High-NA EUV将会成为英特尔的主要制造技术之一。NA与EUV光刻机的数值孔径相关，简单的说是在EUV光束击中晶圆之前，可以重新增强光束宽度，击中晶圆的光束越宽，强度就越大，刻画出的电路则越准确。

而如果依靠现在的工艺，一般会使用一维或二维光刻特征的双重图案化，亦或者四重图案化来实现类似的效果，但会严重的降低产量，而High-NA EUV则不会遇到这个问题，显然也更符合英特尔的预期。

如果一切顺利，英特尔可能会在2024年获得第一台High-NA EUV光刻机，并在随后逐步增加，数量越多，对英特尔的产量和优势也将越有利。

翻盘技术点1：RibbonFET

拥有更好的光刻机是远远不够的，芯片设计将会成为英特尔重返巅峰的另一个砝码。这里英特尔着重介绍了RibbonFET和PowerVias。

在目前的普遍认知中，常规FinFET一旦失去增长动力，整个半导体制造行业会转向GAAFET，也就是Intel 20A中提到的环绕栅极晶体管设计（GAAFET）。为了便于大家理解，英特尔将其命名为RibbonFET。

RibbonFET的特点是拥有多层灵活宽度的晶体管以驱动电流。与FinFET依赖于源极/漏极的多个量化鳍片和多个鳍片轨迹的单元高度不同，RibbonFET允许单个鳍片长度可变，并且允许针对每个独立单元进行功率、性能、面积优化，相当于每一个单元的模块都可以再定义电流，变化更为多样性。

资料来自三星

英特尔同样也是GAAFET的推动者之一，在RibbonFET的展示PPT中，可以看到同时使用了PMOS和NMOS器件，看起来像4堆栈结构。而堆栈越多，增加的工艺步骤也就会越繁琐。

不过与对手相比，英特尔的速度确实有些落后。台积电计划在2nm制程上过度到GAAFET，时间节点为2023年之后，三星则计划在3GAP制程上部署更多产品，时间节点同样为2023年。而英特尔的RibbonFET需要2024年上半年才会付诸实践，并且实际产品还需要再往后延期一段时间。

翻盘技术点2：PowerVias

PowerVias是Intel 20A另一个重要设计之一。

现代电路设计是从晶体管层M0开始，向上不断叠加大尺寸额外金属层，以解决晶体管和处理器缓存、计算单元等各个部分之间的布线问题。高性能处理器通常有10到20层金属层，最外层晶体管负责外部通讯。

而在PowerVias中，晶体管被放置于设计中间，晶体管一侧放置通讯线，允许芯片之间各个部分进行通讯，所有电源相关的设计放在另一侧，更确切的说，是晶体管背面，也就是我们常说的背面供电。

从整体来看，电源部分与通讯部分分开可以简化很多不必要的麻烦，比如电源供电导致信号干扰。另一方面按，更近的通讯距离能够降低能量损耗，运行方式更为高效。

当然，背面供电也并非十全十美，它对设计和制造都提出了更高的要求，例如在设计制造晶体管的时候，就必须更早的发现设计和制造缺陷，而不是现在可以供电与晶体管设计交替进行。同时由于供电部分的翻转意味着实际发热的时候，需要考虑热量对信号的影响等等。

不过背面供电技术在行业内其实被提出很多年，ARM和IMEC在2019年联合宣布在3nm工艺的ARM Cortex-A53实现类似的技术，特别是在现在设计下，工艺节点提升开始难以换来对等的高性能，改变设计思路无疑是合理的解决方案。

下一代封装：EMIB和Foveros

除了工艺节点，英特尔还需要推进下一代封装技术。高性能芯片需求再加上困难的工艺节点开发，都使得处理器不再是单一的硅片，而是无数更小的芯片、模块组合在一起，因此就需要更好的封装和桥接技术。英特尔EMIB和Foveros就是其中的两个。

EMIB：嵌入式多芯片互联桥接

桥接技术最早给2D平面芯片桥接设计的。通常而言，两个芯片之间的相互通讯最简单的方法是穿过基板形成数据通路。基板是由绝缘材料层组成的印刷电路，其中散布着蚀刻轨道和金属迹线。根据基板的质量、物理协议和使用标准，可以得出传输数据时达到电力、带宽损耗等等，这是最便宜的选择。

基板的进阶形式是，两个芯片通过一个中介层桥接。中介层通常是一大块硅片，面积足以让两个芯片贴合。类似于插座一般，硅片对应不同芯片会提供相应的接口，并且由于数据从硅片移动到硅片，功率损失要比基板小得多，带宽也更高，缺点是作为中介层的硅片也需要额外制造，制程通常在65nm以上，并且所涉及的芯片要足够小，否则成本降不下来。

英特尔EMIB则正好是中介层硅片以及基板的融合体。英特尔没有使用大型的中介层，而是用小硅片将其嵌入到基板中，从而变成具备插口的桥接器，这使得桥接性能不会受到硅片成本过大，以及基板效率过低的影响。

但EMIB嵌入基板其实并不容易，英特尔已经给为此花费了数年时间和资金完善这项技术，并且桥接过程中必然会存在良品率的问题，即使每个芯片桥接都能达到99%的林频率，一旦多个芯片同时桥接，则会下降到87%。

目前已经投放市场的EMIB技术有几款产品，包括Stratix FPGA 和 Agilex FPGA 系列，以及前段时间在消费端火热的Kaby Lake-G，将英特尔CPU和AMD GPU融合。接下来英特尔还计划在超级计算机图形处理器Ponte Vecchio、下一代至强Sapphire Rapids，2023年消费级处理器Meteor Lake，以及GPU相关芯片使用这项技术。

在EMIB线路图上，英特尔计划在未来几年内继续缩小EMIB的触点间距，以获得更多的连接性能。2017年发布的第一代EMIB触点间距为55微米，第二代EMIB将达到45微米，第三代EMIB则可能达到35微米。

Foveros：真正的叠叠乐

在2019年，英特尔在Lakefield上第一次使用了Foveros芯片到芯片的堆叠技术，虽然Lakefield这款低功耗移动处理器已经停售，但是芯片到芯片堆叠技术开始陆续在其他产品中推广开来。在很大程度上，芯片堆叠与EMIB部分中介层技术相似，所不同的是顶部的内插器、基片需要上一层芯片的完整有源供电。例如Lakefield处理器部分使用的是10nm制程，但诸如PCIe通道、USB接口、安全性以及IO相关则通过22FFL低功耗制程连接。

虽然这仍然属于EMIB技术的2D缩放范畴，但实际上这个 *** 作已经完成了完整的3D堆叠，并且功率损失更小，连接性更好，第一代Foveros触点间距为50微米，而第二代Foveros则可以做到36微米触点间距，连接密度增加一倍，最快会在消费级处理器Meteor Lake用上。

如果你听说过英特尔封装技术，缩写ODI，即Omni-Directional Interconnect可能听说过，这是一个允许使用悬臂硅的封装技术名称，在Foveros上变成了第三代Foveros Omni。

Foveros Omni使得原本第一代Foveros的顶部芯片尺寸限制被取消，可以允许每层多个尺寸芯片叠加。因为Foveros Omni允许铜柱通过基板一直延伸到供电部分，因此解决了大功率硅通孔（TSV）在信号中造成局部干扰的窘境。此时Foveros Omni触点间距降低到25微米。如果一切顺利，Foveros Omni将会在2023年为批量生产做好准备。

紧接着第四代Foveros Direct能够将触点间距降到的10微米，密度是Foveros Omni的六倍，并且使用全铜连接，拥有更低的功耗和电阻，推出的时间也在2023年，与Foveros Omni同步，以应对不同成本和情况的解决方案。

写在最后：性能突破终有时

英特尔给我们描绘了一个2025年的芯片制造的宏伟蓝图，而推动庞大计划背后可能会有数百家供应商与客户的谈判，而为了推进这项计划，英特尔也不惜重金聘请以往在英特尔就职的专家和研究人员，进而推进当前的研究进度。

如果想从每瓦功率上有所突破，唯有不断的将工艺、封装、设计向前推进，同时考虑到客户和市场的实际需求，做到多方面平衡相当不容易，但至少，我们看到了英特尔对重返巅峰充满决心。

很遗憾！我要说很遗憾！华为5纳米的量产本来是排在台积电第一批名单里的，与苹果A14处理器并驾齐驱。

这说明，华为对于5nm的芯片的设计能力已经通过，也不是说科研是没有问题的，只是没办法将图纸上的方案落地。很遗憾于3点。

第一：目前只有台积电才有能力生产5nm芯片的工艺，并且已经能量产。但是他还是使用了美国技术，根据 美国新政——要求采用美国技术和设备生产出的芯片，必须先经过美国批准才能出售给华为 。如果美国不批，基本上就没可能了；即便台积电没有使用美国的技术，也不可能。

第二：台积电不可能跳过美国的原因是，荷兰的光刻机。同样的，中芯国际就差光刻机就有能力生产7nm的芯片，在7nm的芯片上再在一年时间年达到5nm，其实是有可能的，因为我们可以通过加班，把一年的时间当两年的时间使用。但是，如果没有ASML的光刻机。那就不可能。

第三：我们为什么要跳过光刻机，光刻机也不是美国生产的，它的45000个关键零件来自多个 科技 强国。我们为什么要跳过？跳过的意思就是我们要去面对10多个 科技 强国的技术封锁。

反过来考虑，华为还是有希望的 。因为我们可以通过国家的力量的介入，与美国谈判，只是代价很大。也可以与荷兰谈判，完成光刻机的采购，这比与美国谈判是要容易一些的。特别是疫情的爆发，我们在很多方面是有谈判条件的，比如我们的疫苗，已经接近临床了。

还有一点，台积电其实是有最后90天的时间的，这90天也是有可能已经投产了5nm的芯片的。只是能不能交付，还难说。

最后，留给华为的，其实还有1年时间，但高通能不能在2021年量产，就不见得，为什么呢？因为同样的，他需要投入至少20亿，如果国内不让使用高通的，他的钱从哪里来？芯片卖给谁呢？小米？OPPO？要知道，到目前为止，国家还没有真正的出招，牌还在手上，但不是说没有牌！

这一年，华为需要更多的支持！

美国想要禁止所有使用美国半导体设备的企业给华为或海思等相关公司代工芯片，想要把华为往死里整！

于是，很多人担心，台积电可能要断供华为了？

华为的5nm芯片要泡汤了？

其实，并非如此！

据业内消息，2020年下半年，台积电的5nm制程芯片代工就只有苹果和华为，连高通都被推到了2021年！

华为的5nm芯片订单早就已经下单好几个月了，台积电5nm制程工艺也早已开工！

而且，前不久，华为又向台积电下了7亿美元订单，大都是7nm制程芯片和5nm制程芯片订单！

也就是说，华为早就已经做了准备，即使120天后被断供5nm芯片，已经下单的5nm芯片订单，估计也够华为卖3-6个月的吧！

所以，今年下半年，华为大概率会如期发布搭载5nm制程芯片的新款手机！

……

如果120天缓冲期后，台积电被阻断向华为供应芯片，那么台积电也会损失重大！

因为华为是台积电的第二大客户，2019年华为向台积电贡献了361亿元营收，占台积电总营收的14%！

台积电有很多筹码，也会与美国商务部周旋的，美国商务部的“芯片禁令”大概率还会进行多次延期！就好像美国商务部对华为的“实体清单”，已经延期了6次！

台积电与美国周旋的结果，很可能是台积电“配合”美国的“芯片禁令”；当华为下单时，台积电向美国商务部申请许可，美国商务部再刁难刁难，最后还是会放行！

为何会放行呢？

因为美国商务部暂时并不敢与华为“以伤换伤”，否则美国供应商会遭受损失，苹果、高通在中国市场也会受挫，美国承受不起！

为何承受不起呢？

因为美国国内爆发的“疫情+种族歧视”两大事件，会让美国经济承受短时间内难以修复的创伤！

如果再与华为“以伤换伤”，美国经济绝对会“雪上加霜”！

“特朗普”背后的大财团（美国的“实际掌控者”），会同意吗？

不会的，大财团会与钱过不去吗？

美国互联网 科技 界不会同意，大财团不会同意，您认为特朗普还能够为所欲为吗？

特朗普搞搞闹剧和喜剧，绝壁是全球顶尖高手，甚至可以拿“奥斯卡最佳男主角奖”！

可是，美国互联网 科技 圈、大财团并不是特朗普能够驾驭的？！

……

总结：

华为大概率会如期发布搭载5nm制程芯片的新款手机，很可能要比高通早3-6个月；但是，美国也会一直给华为使绊子，华为与台积电只能未雨绸缪，并且“见招拆招”！

……

以上仅为浩子哥个人浅见，欢迎批评指正；

高通和华为目前的芯片代工方都是台积电，毕竟台积电的半导体工艺领先优势很足，5nm工艺在今年年中已经可以量产了，不出意外，麒麟1020应该是第一款量产的5nm手机芯片，而由于美国方面禁令的存在，麒麟1020能生产多少还是未知数，但是华为已经提前向台积电下达了巨额订单，保持年底前的供货应该是没问题的。

5nm相比7nm芯片可以带来更高的集成度和效能，集成5G基带也会更佳轻松，而且5nm工艺不同于7nm euv的部分采用极紫外光刻技术，5nm工艺全程都会覆盖极紫外光刻技术，所以芯片的产能和良品率应该更高，有利于降低成本。华为是最早和台积电合作的厂商之一，麒麟990率先使用7nm euv工艺，所以麒麟1020使用5nm工艺也是水到渠成的事。

至于高通，下一代高通骁龙875年底前公布，理所应当也会使用5nm工艺，毕竟高通已经用了两代7nm工艺了，如果5nm工艺跟不上就太丢人了，这样的话，骁龙875肯定会搭载到2021年的安卓高端手机上，华为下半年的mate40系列肯定也会使用麒麟1020，所以华为今年肯定是可以拿到5nm芯片的，只是能维持多久的产能目前不好断定。

高通进度晚了！

在芯片制程上高通这2年的进度一直落后于华为，5nm制程芯片华为今年下半年就将发布，也就是传说中的麒麟1020。

华为2019年以下单5nm制程芯片：

在全球范围内华为和苹果都是首批尝鲜5nm制程芯片的厂商，苹果是A14处理器，华为则是麒麟1020处理器，这两款处理器都将在今年发布。

对于5nm制程芯片，当台机电还在试投产时华为和苹果就及时跟进了，台积电于2019年9月时给了这些客户送样。去年华为和苹果都和台积电签订了5nm芯片生产的订单，且华为的订单份额还大于苹果。

高通最新的x60芯片虽然在今年第一季度就发布了，但正式量产使用要到2021年，这个时间节点明显晚于麒麟1020。

华为未来5nm芯片应该能有保障：

2020年5月美国采取新的制裁措施后，华为可能面临芯片断供的局面，但采用5nm制程的麒麟1020芯片整体还是有保障的。在当前的缓冲期内，华为又紧急向台积电下了一波订单，基本可以而保证下一代Mate40系列旗舰机型能用上麒麟1020芯片。

因此，短期来说华为5nm芯片并不会有太大的问题。当然，如果美国的制裁持续进行下去，2021年新机型（比如P50等）的芯片就可能就有问题了。

华为高端芯片销量强于高通：

高通骁龙芯片这2年在高端领域的销量一直在下滑，尤其是中国市场。国产机型中使用骁龙8系列高端芯片的机型数量不多，同时对应的销量也不高，而华为采用麒麟980、990这样高端芯片的机型遍地开花，不仅华为手机使用，荣耀机型也使用，使得华为麒麟芯片整体的销量超过了高通。

未来美国的制裁可能会帮助高通重新追赶上华为，也真是令人唏嘘，仅仅几年时间，曾经领先的手机芯片厂商如今却要靠美国制裁才能追赶上对手。

Lscssh 科技 官观点：

如果要从芯片性能、制程以及基带等层面全面衡量高通骁龙芯片和华为麒麟芯片，从大趋势来看就是麒麟不仅追上了高通，并有逐步领先的优势，只是未来这种进程可能会随着美国的芯片断供策略而被打断。

答案：能。

这个问题问的，看来还是要多了解市场信息哦。

▲华为7nm芯片：麒麟990 5G SoC

华为的 麒麟1020 5G SoC （暂名）早已在台积电投产，而且台积电正在加紧动员更多产能以为华为生产更多先进芯片。

麒麟1020 5G SoC就是采用的5nm制程工艺，性能将会有突破性的提升，这款芯片肯定会搭载于下半年华为年度 旗舰机mate40系列手机 上。

▲高通7nm芯片：骁龙865（仅AP，需外挂X55基带芯片）

按您所说，2021年高通将会发布5nm芯片，那时华为搭载5nm芯片的旗舰手机都已上市很久了。

据传苹果iPhone 12可能要延期发布，而iPhone 12将采用5nm制程工艺的A13芯片。如果是这样，拥有5nm芯片的华为手机将可能是全球最早的5nm芯片手机。

▲苹果7nm芯片：A13（仅AP，需外挂英特尔基带芯片）

感谢阅读。

华为的麒麟芯片一直都是台积电代工的，诸如麒麟960、麒麟970、麒麟980、麒麟990等高端旗舰机的芯片。虽然大陆的中芯国际也能生产芯片，但其工艺制程的极限是14nm，而这个14nm还未实现量产。反观台积电早就在10nm、7nm上实现量产，其5nm制程工艺的芯片也在投产中。

作为世界第一的手机芯片代工企业，台积电的实力有目共睹，但台积电的生产技术和美国息息相关，若是美国限制自己的技术输出，那么台积电的芯片代工业务会受到很大的影响。

此前，美国商务部已经限制所有的美国半导体设备企业给海思代工芯片，其中也包括使用美国技术的他国半导体设备厂商。因此，很多消费者非常担忧，他们担心华为不会有5nm制程工艺的芯片，而高通、苹果依然会有大量的5nm制程工艺芯片，那么华为手机将会失去竞争力。

这个担忧不无道理，毕竟美国打压华为的芯片业务已成定局，这也是众所周知的事情。庆幸的是华为在制裁之前已经给台积电下了大量5nm制程工艺的麒麟1000芯片订单，这个订单不受制裁影响。

虽然美国商务部对芯片技术下达了封锁令，但为了不损伤美国企业现阶段的利益，所以美国商务部给这些企业120天的缓冲期。也就是说在这120天内，台积电也可以接受华为海思的订单业务。前不久，华为海思向台积电下达7亿美元的5nm、7nm芯片代工订单，这样庞大的订单量可以维持华为手机3个月以上的售卖。

由此可见，即使是到了2021年，高通和苹果有了5nm制程工艺的芯片，华为也不怕。当然了，若是美国的技术封锁在120天后还在试行，那么华为的5nm、7nm、10nm、12nm工艺制程芯片将会受到毁灭性打击。这个时候就只能希望国家能出面和美国政府好好沟通，除此之外，好像也没有其他的方法了。

再此，也希望大家多支持国产手机，在理性支持的同时也要正视自己与美国的差距，不要夜郎自大，这样我们才能奋起直追。

【连高通5nm工艺都推迟到2021年？那华为5nm工艺芯片还有机会发布吗？】

因为各种因素影响，高通骁龙875处理器确实可能采取5nm工艺制程，原定计划会在2020年12月底发布，集成X60 5G基带，但是可能现在会推迟到2021年。 那么，美国和台积电的压力，会不会让华为的5nm工艺也推迟到2021年，或者没有机会发布5nm工艺了呢？

其实，你必须要知道的是，所有的内容是集中在台积电的工艺制程上。 我们必须要知道的是，台积电确实因为美国新政—— 要求采用美国技术和设备生产出的芯片，必须先经过美国批准才能出售给华为。

这种新的政策让台积电也是会受到影响的，甚至于台积电还将在计划在美国亚利桑那州建造一座造价大约120亿美元的芯片工厂，该工厂将生产最精密的5nm工艺芯片。

在台积电2021-2020年的计划表中， 我们清晰的可以看到它的量产产品表现，2020年主要的厂商是苹果和华为海思；2020年才有高通，联发科，英特尔等企业。

如果按照华为麒麟1000的发布计划，应该会在9月中下旬发布5nm工艺处理器。 这是计划领域，我们现在担心的是台积电会进行推迟或者因为美国压力而被迫停止。

我知道大家对于光刻机的在乎程度非常高，可惜因为ASML光刻机的影响，我国目前并没有7nm EUV的光刻机。 如果我们确实拥有7nm EUV的光刻机，可能会解决不能够进行芯片生产的困难。

虽然，台积电可能迫于压力，但是它应该不会轻易放弃华为，我们推测可能推迟的概率不是特别大，但是我们可以预计的是可能产量不是很足，这可能是我们需要担心的地方。

谢谢您的问题。台积电加紧赶工，华为是有可能拥有5nm芯片的。

华为的5nm芯片取决于代加工环节 。今年下半年，高通875、麒麟1020都是5nm制程工艺，难题在于代加工企业能否按时造出来。如果麒麟1020不能准时完成，Mate40系列产品就会推迟，就会在与苹果、高通芯片竞争中处于不利地位。

目前还要指望台积电。 虽然有美国阻挠，但是台积电肯定不想放弃华为的订单，至少还是要努力保证麒麟1020的订单。台积电有120天缓冲期，华为追加订单，台积电调整产能，华为Mate40系列今年是有可能用上5nm芯片的。

目前难有其他选择 。三星离不开美国的技术与设备，凡事做不了主，比台积电风险很大。中芯国际等国内企业起步晚，目前最先进的是14nm，还需时日成长。所以，更看出华为的居安思危、提前储备技术多么重要。

华为在2020年9月份就会发布5nm的芯片，比高通的2021年更早。

一、华为麒麟1020（暂命名）已经在生产了，采用的是5nm的芯片，今年9月份发布

众所周知，前段时间关于华为的芯片禁令升级，就已经传出很多消息了，比如华为追加芯片订单，争取在120天的缓冲期内生产出更多的芯片，这订单中就包含了7nm、5nm的芯片。

而按照华为一年一款旗舰芯片的节奏，今年9月份也就是华为下一代芯片发布的时间，也就是麒麟1020，采用的是正是台积电的5nm工艺。

而高通的下一代芯片叫做高通875，采用的是5nm的工艺，预计会到2021年发布，比华为还晚一些呢。

二、华为不生产芯片，只设计芯片

但目前很多人有一个误区，觉得华为的芯片就是华为生产的，这里可能大家要注意一下，华为海思属于Fabless（无晶圆制造设计）类别，该类芯片企业只负责芯片的电路设计与销售，其他的生产、测试、封装等环节都是外包的。

而高通也是如此，所以只要台积电能够生产出5nm的芯片，甚至未来能够生产出3nm、2nm的芯片，华为就会拥有3nm、2nm的芯片，因为华为会将芯片交给台积电来生产，自己只设计芯片。

当然现在也有一些困难，就是因为美国芯片禁令升级，台积台可能会受限，不一定能够顺畅的给华为生产所有需要的5nm芯片，但生产部分是没有问题的，华为的订单早就下了，所以9月份就能够看到这款芯片了。

现在看比较悬 美国禁令导致台积电等高端芯片代工厂商停止华为合作 中芯国际目前还没有5nm制程 从AMSL订购的极紫外光刻机EUV也是收美国人限制 一直不能到货 联发科的技术目前也不确定明年是否能到5nm

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