半导体镀膜工艺是什么

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

薄膜集成电路工艺

整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。

薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。

实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。

镀膜是半导体及光学工业中最为重要的工艺之一.这里会总体归纳各类镀膜/薄膜工艺,从原理上了解这些工艺的异同.

简介

镀膜指在基材上形成从数纳米到数微米的材料层,材料可以是金属材料、半导体材料、以及氧化物氟化物等化合物材料.镀膜的工艺可以最简略的分为化学工艺及物理工艺:

化学方法

通常是液态或者气态的前体材料经过在固体表面的化学反应,沉积一层固体材料层.以下常见的镀膜工艺都是属于化学工艺:

电镀(Electroplating):利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程,是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺图片化学溶液沉积 Chemical solution deposition (CSD):是利用一种合适的还原剂使镀液中的金属离子还原并沉积在基体表面上的化学还原过程.与电化学沉积不同,化学沉积不需要整流电源和阳极.Sol-Gel技术就是一种化学溶液沉积方法.

旋转涂覆法 Spin-coating:即在高速旋转的基片上,滴注各类胶液,利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上,厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同,也和旋转速度及时间有关.通常也需要涂胶后的热处理来使胶状涂膜晶体化.对于高分子聚合物Polymer的薄膜涂覆比较有效,广泛应用于半导体的光感掩膜涂覆.

化学气相沉积 Chemical vapor deposition(CVD):把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术.

等离子增强化学气相沉积 Plasma enhanced Chemical vapor deposition (PECVD):是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜.因为利用了等离子的活性来促进化学反应,PECVD可以在较低的温度下实现.

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