为什么c不能做半导体？

其实是可以的，目前最高频的器件就是用石墨(C)做的。

在240nm工艺下可以达到石墨器件可以跑到100G Hz。同样工艺下的Si器件只能做到40G Hz.

但是，跑得快并不是IC的唯一考虑。从综合性能看来，目前还是Si器件比较稳健。

lie2010说的不对。

石墨的载流子迁移率是很高的(比Si要高1倍多)，所以才能做出非常高频的器件。只是石墨器件比较难做。

器件中，Si，Ge的空穴和自由电子主要不是本征电离得到的， 而是掺杂电力得来的。

详细资料可以看 2010-2-5 Science

100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene

　在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、 半导体材料Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。

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