
一、N型半导体
N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用,因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度。
二、P型半导体
P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。
形成
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。
扩展资料
特点:
(一)、N型半导体
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
(二)、P型半导体
掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。
参考资料来源:百度百科-N型半导体
参考资料来源:百度百科-P型半导体
超导体与半导体的相似之处如下:
当某些条件满足时,可以充当导体。
超导体与半导体的区别如下:
一丶物理性质
1.半导体的电阻比超导体的电阻大。
2.超导体是在一定条件下电阻为0的材料。半导体是一种导体和绝缘体在室温下导电的材料。
二、关于使用
3.半导体需要在室温下使用,超导体一般需要在超低温下使用。
4.不同的功能在实际应用中。
半导体已经使用了很长时间,但是超导体仍然处于发展阶段。
超导体和半导体的作用是:
半导体:电子元件,芯片,晶体管
超导体:远距离传输高压、全超导托卡马克聚变发电机
扩展资料:
超导体的三个基本特性:
1.完全导电性:完全导电性又称零电阻效应,是指温度下降到一定温度以下,电阻突然消失。
2.完全反磁性:完全反磁性也被称为梅斯纳效应。“抗磁性”是指当磁场强度低于临界值时,磁力线不能通过超导体的现象。
完全反磁性的原因是超导体的表面产生一种无损的抗磁超导电流,这种电流产生的磁场抵消了超导体内部的磁场。
3.通量化:量化通量,也称为约瑟夫逊效应,指的是现象,当两层超导体之间的绝缘层薄原子大小,电子对产生隧道电流通过隔热层,也就是说,超导电流可以superconductor-insulator-superconductor结构生成。
参考资料来源:百度百科-半导体
参考资料来源:百度百科-超导体
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