第三代半导体材料有哪些?

第三代半导体材料有哪些?,第1张

碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)。

1、碳化硅(SiC)

碳化硅,化学式SiC,俗称金刚砂,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。

2、氮化镓(GaN)

氮化镓是氮和镓的化合物,是一种III族和V族的直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。

此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光的条件下,产生紫光激光。

3、氧化锌(ZnO)

氧化锌是锌的氧化物,难溶于水,可溶于酸和强碱。它是白色固体,故又称锌白。它能通过燃烧锌或焙烧闪锌矿取得。在自然中,氧化锌是矿物红锌矿的主要成分。人造氧化锌有两种制造方法:由纯锌氧化或烘烧锌矿石而成。

4、金刚石

金刚石(diamond),俗称“金刚钻”,它是一种由碳元素组成的矿物,是石墨的同素异形体,化学式为C,也是常见的钻石的原身。金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。石墨可以在高温、高压下形成人造金刚石。

金刚石的用途非常广泛,例如:工艺品、工业中的切割工具,也是一种贵重宝石。

5、氮化铝(AlN)

氮化铝是铝的氮化物。纤锌矿状态的氮化铝是一种宽带隙的半导体材料。故也是可应用于深紫外线光电子学的半导体物料。

西安紫光国芯半导体有限公司成立于2006年04月24日,法定代表人:范新,注册资本:10,613.51元,地址位于陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼。

公司经营状况:

西安紫光国芯半导体有限公司目前处于开业状态,目前在招岗位14个,招投标项目1项。

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宽带隙半导体,一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下,Si的带隙为1.1eV,GaAs的带隙为1.43eV,一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。


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