什么是热载流子注入?

载流子你知道什么意思吧？这个就不说了~

热载流子就是能够参与导电的载流子~~

也就是导带中电子比平衡时多出来的那部分电子，和价带中比平衡时多出来的那部分空穴~

热载流子注入就是，产生这部分热载流子的过程~

比如价带电子激发进入导带成为导带导电电子，同时价带产生一个导电空穴。这个过程就是热载流子注入~~

我觉得和保险丝差不多吧、

半导体

室温时电阻率约在10E-5～E欧姆·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（图1 ）。导带中的电子和价带中的空穴合称电子- 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生半导体

而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

多数载流子与少数载流子

载流子可区分为多数载流子和少数载流子两种。譬如，对于n型半导体，其中的电子就是多数载流子，而空穴是少数载流子。实际上，这不仅是数量多少的差异，而更重要的是它们性质上的不同。例如：

①多数载流子主要由掺杂所提供的，则在室温下，其浓度与温度的关系不大（杂质全电离），而少数载流子主要由本征激发所产生，则随着温度的升高将指数式增加；

②能够注入到半导体中去的载流子，或者能够从半导体中抽出来的载流子，实际上往往是少数载流子，而多数载流子一般是不能注入、也不能抽出的；

③少数载流子能够在局部区域积累或减少，即可形成一定的浓度梯度，而多数载流子在半导体内部难以积累起来，所以多数载流子的浓度一般都不能改变，从而不能形成浓度梯度。也正因为如此，为了维持半导体电中性，所以在注入了少数载流子的同时，也将增加相同数量的多数载流子，并且它们的浓度梯度也相同；

④因为一般只有少数载流子才能注入和抽出，所以半导体中的非平衡载流子一般也就是少数载流子。非平衡少数载流子可由于复合而消失，因此具有一定的寿命时间（从ns到μs），而多数载流子一般就是热平衡载流子，其存在的有效时间也就是所谓介电弛豫时间（非常短，常常可忽略）；

⑤少数载流子在浓度梯度驱动下，将一边扩散、一边复合，有一个有效存在的范围——扩散长度（可达nm数量级），而多数载流子的有效存在范围是所谓Debye屏蔽长度（很短）；

⑥少数载流子主要是扩散运动，输运电荷的能力决定于其浓度梯度，而多数载流子主要是漂移运动，输运能力主要是决定于多数载流子浓度和电场；等等。

（4）少数载流子的作用：

少数载流子虽然数量少，但是它所产生的电流却不一定小，其主要原因就是它们能够产生很大的浓度梯度，从而可输运很大的电流。例如数百安培工作电流的SCR就是少数载流子工作的器件，所有BJT 就都是少数载流子工作的器件。相反，多数载流子工作的器件，其电流倒不一定很大。

少数载流子能够存储（积累），则对于器件的开关速度有很大影响；而多数载流子的电容效应（势垒电容）往往是影响器件最高工作频率的因素。

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