苏州有哪些集成电路公司

三、2006年苏州市集成电路产业发展情况

2006年，苏州市新成立（或新引进）的设计企业有：中科半导体集成技术研发中心、飞索半导体（中国）集成电路设计中心、真宽通信科技(苏州)有限公司、苏州矽湖微电子有限公司、苏州芯源东升集成电路技术开发有限公司；封测企业有：三星电子（苏州）半导体第二工厂、晶方半导体科技（苏州）有限公司、苏州震坤科技有限公司；配套企业有：苏瑞电子材料有限公司、富士胶片电子材料（苏州）有限公司、林德电子特种气体（苏州）有限公司、永光（苏州）光电材料有限公司等十几家企业。

1、 集成电路设计产业

苏州市集成电路设计产业2006的销售收入为3亿元，同比增长7%。较去年有所增长，但幅度不大。截止到2006年底，苏州地区共有10家企业通过信息产业部的设计企业认定及年审。他们分别是：世宏科技（苏州）有限公司、金科集成电路（苏州）有限公司、苏州华芯微电子有限公司、苏州国芯科技有限公司、飞思卡尔半导体（中国）有限公司苏州分公司、苏州银河龙芯科技有限公司、苏州国微工大微电子有限公司、希迪亚微电子（苏州）有限公司、三星半导体（中国）研究开发有限公司、豪雅微电子（苏州）有限公司。2006年苏州地区新成立的设计企业共5家，他们是：

企业名称 注册地区 主要产品

飞索半导体（中国）集成电路设计中心 工业园区 FLASH SOC 系统研发

苏州芯源东升集成电路技术开发有限公司 新区 电源管理IC

真宽通信科技(苏州)有限公司 工业园区 无源光网络核心芯片

苏州矽湖微电子有限公司 工业园区 电源管理IC

中科半导体集成技术研发中心 工业园区 WLAN(无线局域网)芯片

从地区分布来开，苏州的设计企业主要集中在工业园区和高新技术开发区，工业园区从事集成电路设计的企业有24家，高新技术开发区有5家。销售额方面，工业园区与高新技术开发区的比例大约为3：2。

从业务范围来看，苏州从事集成电路设计的企业25家，IP设计1家，设计服务2家，探针卡设计1家。从产品的种类来看，主要的产品有如下几类：MCU、LCD 驱动芯片、电源管理芯片、电表芯片、网络连接芯片等。

2、 集成电路制造产业

2006年，苏州集成电路制造企业实现销售收入23.7亿元，同比增长5.3%。截止目前，苏州共有2家晶圆制造企业，德芯电子（昆山）有限公司目前正在建设之中。

苏州的分立器件制造大厂——固锝电子股份有限公司于2006年10月30日起在深圳证券交易所首次公开发行不超过3800 万股人民币普通股(A股)，成为苏州市首家上市的半导体企业。

3、 集成电路封测产业

2006年，苏州封测产业实现销售收入128.4亿元，同比增长38%，占全国封测业总收入比重提高到26%，继2005年以来仍然是国内仅次于上海的封测产业重镇。

2006年，苏州新成立的封测企业共3家，分别是三星电子（苏州）半导体第二工厂、晶方半导体科技（苏州）有限公司、苏州震坤科技有限公司。

奇梦达科技（苏州）有限公司投产二年多的时间，就取得了骄人业绩，名列国内十大封测企业第二位。

四、2006年苏州市集成电路产业情况分析

纵览2006年的苏州集成电路产业发展情况可以看出，苏州的封测产业稳步发展，形势喜人；制造业在国内多个城市“造芯”的热潮中追兵四起，占比份额有所下降；设计业发展略显缓慢。具体如下：

1. 封测业持续、稳定发展

2006年苏州的封测产业实现销售收入达到128.4亿元，其中封测代工型企业实现销售收入17.5亿元，封测业同比增长达到38%。自2004年以来，苏州的封测产业已连续三年同比增长超过35%（其中2004年同比增长38%，2005年同比增长37%），超过全国同期年平均30%的增长率。

苏州的封装测试测试产业经过近十年的发展，已经成为国内封测企业最集中、封测技术水平最高、封测人才最充裕、配套产业链最完整的地区。

2. 制造业的增长落后于全国总增长水平

2006年，在国内一片“造芯”热的背景下，苏州的集成电路制造产业，由于德芯电子尚未投产，其增长速度落后于全国的总增长水平。

2006年，国内IC制造业增长较快的城市主要是上海、北京和无锡。随着中芯国际北京十二寸生产线、华虹NEC、ST-海力士的投产或扩张，上海、北京和无锡在全国集成电路制造业的占比得到了提高。

3、设计业发展略显滞后

苏州的集成电路设计产业经过近8年，特别是最近3年来的发展，已经初步形成一定量的集聚。但放眼国内，苏州在设计产业上的发展同北京、深圳等城市相比还有较大的差距。苏州的集成电路设计产业，在04年首次突破1亿元之后，05、06年的增长幅度不大，05、06年同比增长分别为33%和7%，而同期全国设计产业的年均增长率在50%以上。

企业信息

三星立足苏州 迈向世界第一

2007年5月7日，三星电子位于苏州工业园区的半导体第二工厂正式竣工开业。江苏省委常委、苏州市委书记王荣，市委副书记、园区工委书记王金华，韩国三星半导体总括社长黄昌圭，中国三星本社社长朴根熙等出席了当天的庆典。黄昌圭在致辞中透露，三星要力争在2009年成为全球最大半导体厂商，此次建成投产的苏州第二工厂将帮助以存储器为主的三星半导体事业获得市场龙头地位。

三星电子(苏州)半导体有限公司成立于1994年底，是苏州工业园区第一家大规模投资的外商投资企业。经过多年发展，该公司与园区共同成长，已经发展成为三星电子在海外最重要的生产工厂，拥有近4000名员工，工厂面积达25万平方米，投资总额超过6亿美元，生产着三星电子的主力核心产品。其中，动态随机存储器、静态随机存储器、闪存等产品均占据世界第一份额。另外，在今年上半年还将引进代表半导体最高封装技术的多重芯片封装存储器产品。当天竣工的第二工厂占地面积14.5万平方米，经过7个多月的厂房建设和设备移转，于今年2月底开始产品量产，该工厂将主要生产动态随机存储器的主流产品，预计到今年末，月产量将超过7000万个。该工厂的建成投产将进一步提升三星园区基地的重要性，加快其韩国总部的制造重心向园区转移。

据了解，目前韩国三星在园区投资建设了三星电子(苏州)半导体有限公司、苏州三星电子有限公司、苏州三星电子液晶显示器有限公司等项目，不仅建立了研发中心，还建设起白色家电、笔记本电脑和液晶显示器等重要的生产基地。苏州三星电子、苏州三星半导体、苏州三星电子液晶显示器分别是三星在中国唯一的家电、半导体和LCD生产基地，苏州三星电子电脑有限公司主要生产数码多媒体产品。设在园区的研发中心则是三星在中国设立的半导体、通讯、软件和外观设计四个研发中心之一。

奇梦达24亿元促苏州工厂产能翻番

3月8日，全球第三大存储产品制造商——奇梦达(Qimonda)在华投资的奇梦达科技（苏州）有限公司举行二期工厂破土动工仪式。奇梦达苏州项目计划3年内将投入2.5亿欧元（折合24.5675亿元人民币），建成奇梦达在全球的第四个后道生产基地。

奇梦达科技（苏州）有限公司（原名英飞凌科技（苏州）有限公司）是2003年7月28日，由英飞凌科技与中国苏州工业园区创业投资有限公司合资成立的封装测试存储集成电路的工厂，其中英飞凌集团（Infineon）占股72.5%，苏州工业园区创业投资有限公司（CSVC）占股27.5%，注册资本为3亿美元，未来十年的计划投资额将超过10亿美元。奇梦达是2006年5月1日从英飞凌科技公司分拆出来新成立的全新内存产品公司，目前已成为全球DRAM内存产品的主要供应商，并于2006年8月9日在纽约证券交易所上市。

奇梦达计划于2007年底在新工厂进行设备安装。在现有的10000平方米清洁室的基础上，将继续建设一个新的面积达10000平方米的清洁室。此次扩建还将使员工总数大大增加，该生产基地目前有1700名员工，预计达到最大产能时的员工总数将超过3000名，其产能将翻一番。奇梦达苏州项目主要从事存储集成电路（DRAM）组装和测试，占奇梦达公司全球产能的50%，产品主要运用于个人电脑、服务器、数字电视、手机、MPC播放器等，未来公司还希望成功将产品延伸到图形，移动通讯和由低功率沟槽技术引导的消费类领域。

“奇梦达现在有超过三分之二的DRAM都是在300mm生产线上生产的，前道产能的提高需要后道产能也要相应地提升。随着苏州生产基地的扩建，我们将能更好地发挥我们在300mm晶圆生产上的竞争优势，”奇梦达公司总裁兼首席执行官罗建华（Kin Wah Loh）表示。

苏州工业园区管委会主任马明龙先生也表示，奇梦达是苏州IC产业的旗舰型、地标性企业，也是园区倾注全力、重点支持的重中之重项目。相信二期厂房的正式启动，不仅将更好地满足客户需求，为公司带来更加丰厚的利润回报，同时也必将有力推进奇梦达全球拓展战略，加快确立公司在储存器领域的龙头地位。

（一个新品牌－－奇梦达 奇梦达的名称和品牌标识体现了这家新公司的哲学观和品牌性格，并且阐述了公司的远景和驱动价值。新名称“奇梦达(Qimonda)”代表了全球一致的品牌内涵。 “Qi”代表“气”，即呼吸及流动的能量。在西方，文字主要源自拉丁文并且被英文广泛影响，对奇梦达---Qimonda (key-monda)的直接解读是“开启世界的钥匙”(Key to the World)。而新标识中的主色系紫色代表着领导力，而其他的次色系、草写字体、充满活力的圆形标识以及强烈的发散性造型都强调了奇梦达的品牌价值：即创新、热情、速度。“创新是促使我们在行业成功的重要驱动力之一，”奇梦达公司总裁兼首席执行官罗建华（Kin Wah Loh）解释说：“热情是昂扬在奇梦达公司上下的精神，而速度则是因应奇梦达公司所处的快速变化的内存市场而生的。”）

苏州松下半导体新厂将成为松下全球最大生产基地

5月15日，总投资1亿美元、预计年销售额可达17亿元人民币的苏州松下半导体有限公司新厂举行开业典礼，苏州市副市长周人言，高新区工委书记王竹鸣、副书记胡正明，日本松下电器产业株式会社副社长古池进等出席庆典仪式，并共同植树纪念。

周人言代表苏州市政府对公司新工厂的开业表示祝贺。他说，新工厂的正式启用，标志着松下公司在苏州的发展迈入了新的阶段，也将为苏州经济的健康快速发展做出更大贡献。

王竹鸣在致辞中表示，新工厂的投资建设是松下半导体有限公司在苏州高新区进一步加快发展的标志，同时也充分显示公司对中国市场，以及对苏州高新区良好发展环境的肯定与信心。高新区将一如既往地为包括松下半导体在内的所有进区企业提供更加高效便捷的服务和优质可*的基础设施配套，营造更加完善的投资环境，促进企业健康、快速发展。

苏州松下半导体有限公司由世界500强企业之一的日本松下电器产业株式会社和松下电器(中国)有限公司共同出资、并于2001年12月在苏州高新区注册成立。随着生产规模和产品结构的迅速扩大，以及新工厂的顺利开业投产，公司月生产半导体元器件将达2亿多个、激光半导体300多万个、手机摄像头100万台、车载摄像头13万台、手机话筒1000万个等。

鉴于苏州松下半导体有限公司5年多来所取得的辉煌业绩，以及新工厂的快速建成投产，日本松下电器产业株式会社副社长古池进对苏州高新区优良的投资环境和政府服务予以高度赞赏，他表示，总投资超过1亿美元的苏州松下半导体有限公司二期新厂房将于今年下半年破土动工，预计2008年竣工投产。

展望未来，古池进副社长满怀信心地表示，随着苏州松下半导体有限公司的不断飞跃式发展，公司将发展成为松下半导体的全球主要生产供应基地和在高科技领域具有强大国际竞争力的优秀企业。

从2018年开始，多款基于氮化镓技术开发的快充充电器相继量产，氮化镓也正式开启了在消费类电源领域商用。

近日，氮化镓半导体材料被正式写入“十四五规划”中，这就意味着氮化镓产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，前景十分值得期待。

氮化镓（gallium nitride，GaN）属于第三代半导体材料，其运行速度比传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。

氮化镓新技术应用领域广阔，覆盖5G通信、人工智能、自动驾驶、数据中心、快充等等，这其中快充市场发展最为迅猛，成为先进技术普惠大众的一个标杆应用，可谓是人人都能享受到新技术从实验室走向市场的便利；而快充出货量、需求量庞大，也反哺了氮化镓技术的不断迭代。快充与氮化镓，堪称天生一对。

凭借优秀的性能，两年来氮化镓技术在快充电源方面的发展一路突飞猛进，普及速度十分快，获得越来越来越多品牌客户和消费者的认可。而作为氮化镓快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家关注的焦点。

充电头网通过长期跟踪调研了解到，近两年时间里，业内GaN功率芯片供应商也从起初的一两家迅速增长至十余家。今天这篇文章就是带大家详细的了解一下当前快充领域的氮化镓功率芯片领域的主要玩家。

众多厂商入局氮化镓功率器件

面对日益增长的快充市场，全球范围内已有纳微、PI、英诺赛科、英飞凌、意法半导体、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能创芯、东科半导体、氮矽 科技 、镓未来、量芯微、Transphorm、能华、芯冠 科技 等16家氮化镓功率芯片供应商。

值得一提的是，英诺赛科苏州第三代半导体基地在去年9月举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也预示中国功率半导体步入一个崭新时代。

充电头网通过整理了解到，目前市面上合封氮化镓芯片可分为以下四种类型：

控制器+驱动器+GaN：这种方式以老牌电源芯片品牌PI为代表，其基于InSOP-24D封装，推出了十余款合封主控、氮化镓功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化镓芯片，PowiGaN芯片获众多品牌青睐，成为了合封氮化镓快充芯片领域的领导者。

此外在本土供应商中，东科半导体率先推出两款合封氮化镓功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q， 对应的最大输出功率分别为45W和65W。这两款芯片在节约系统成本，加速产品上市方面均有着巨大的优势，并有望在2021年量产。

驱动器+GaN：这种合封的氮化镓功率芯片以纳微半导体为主要代表，其为业界首家推出内置驱动氮化镓功率芯片的厂商，凭借精简的外围设计，获得广大工程师及电源厂商青睐，在2020年底，达成芯片出货量突破1300万颗的好成绩。

驱动器+2*GaN：合封两颗氮化镓功率器件以及驱动器的双管半桥产品，其集成度较传统的氮化镓功率器件更高。这类产品应用于ACF架构，以及LLC架构的氮化镓快充产品中，可以实现更加精简的外围设计。目前纳微半导体、英飞凌、意法半导体等厂商在这类合封氮化镓芯片方面均有布局。

驱动器+保护+GaN：纳微半导体近期推出了新一代氮化镓功率芯片NV6128，集成GaN FET、驱动器和逻辑保护器件。将保护电路也加入氮化镓器件中，通过整合开关管和逻辑电路，可得到更低的寄生参数以及更短的响应时间。该芯片可以实现数字输入，功率输出高性能，电源工程师可基于此设计出更快更小更高速的电源。

氮化镓芯片品牌盘点

以下排名不分先后，仅按照品牌首字母排序，方便读者查阅。

ARK艾科微

艾科微电子专注于高功率密度整体方案开发, 并以解决高功率密度电源系统带来的痛点与瓶颈为使命, 核心团队具备超过 20 年专业经验于功率半导体产业, 我们透过不断的创新及前瞻的系统架构并深入结合功率器件及高效能封装, 来实现高品质、高效能与纯净的电源系统，以满足市场对未来的需求。

艾科微在AC/DC 快充方案上不仅推出原副边芯片, 另有自主的开发MOSFET功率器件。伴随各种应用上电子产品针对高功率密度之强烈需求，我们承诺持续投资、创新、研发并一同与我们的合作伙伴引领市场、开创未来。

Cohenius聚能创芯

青岛聚能创芯微电子有限公司成立于2018年7月，公司坐落于青岛国际创新园区，主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。

聚能创芯掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术，致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。

背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。在得到合作伙伴广泛认同的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。

在消费类电源领域，聚能创芯面向快充应用国产化GaN材料和器件技术解决方案，并基于现有的氮化镓功率器件推出全新65W、100W、120W氮化镓快充参考设计。

Corenergy能华

江苏能华微电子 科技 发展有限公司是由留美归国博士于2010年创建。团队汇集了众多海内外的专业人才，是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高 科技 公司。

氮化镓（GaN）是新一代复合半导体的代表，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。项目计划总投资50个亿，分期投资。预计第一期投资超10个亿。公司于2017年搬入张家港国家再制造产业园，新厂房占地3万平方，拥有万级、千级以及百级的无尘车间，并配备有先进的生产设备以及专业的技术人员。

DANXI氮矽 科技

成都氮矽 科技 有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓功率器件与IC研发的 科技 型公司，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，公司两位创始人均拥有超过5年的氮化镓领域相关研发经验。

氮矽 科技 于2020年3月发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，搭配该公司的驱动芯片，进军PD快充行业。

值得一提的是，氮矽 科技 还推出了业内最小尺寸、最强散热能力的650V/160mΩ氮化镓晶体管，引领氮化镓产业革命。基于现有的氮化镓功率器件，氮矽 科技 推出4套国产GaN快充参考设计，丰富快充电源工程师的产品选型需求。

DONGKE东科

安徽省东科半导体有限公司于2009年成立，总部位于安徽省马鞍山市，主要从事开关电源芯片、同步整流芯片、BUCK电路电源芯片等产品研发、生产和销售；并成立深圳及无锡全资子公司和印度公司，负责全球市场销售及技术支持。

东科半导体在北京、青岛、无锡、深圳多地成立研发中心，多名海归博士主持研发 探索 ，在安徽马鞍山拥有2万平方米的封装车间和品质实验室，拥有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多种产品封装能力；在东科半导体总部成立的马鞍山集成电路国家实验室，具备对芯片进行开封、失效分析、中测、划片、高低温测试等多种分析能力，为公司产品品质和供货提供可靠保障。

针对快充领域的应用，东科半导体推出了业界首颗合封氮化镓功率器件的电源芯片，成为了国产氮化镓快充发展史上的里程碑。

GaN system氮化镓系统公司

GaN Systems于2008年成立于加拿大首都渥太华，创始人是前北电的资深功率半导体专家。公司专注于增强型氮化镓功率器件的开发，提供高性能、高可靠性的增强型硅基GaN HEMT功率器件。

GaN Systems拥有专利的GaN芯片设计，GaNPx 芯片级封装技术和市场上最全的650V和 100V产品系列，涵盖了从小功率消费电子到几十kW以上工业级电源应用。

GaN Systems采用无晶圆厂模式，与世界级代工厂和供应链合作。产品自2014年开始量产以来，在全球范围服务超过2000家客户。在中日韩和北美及欧洲设有销售分公司和应用支持。据了解，目前GaN Systems的氮化镓功率芯片已经进入飞利浦快充供应链。

GaNext镓未来

珠海镓未来 科技 有限公司成立于2020年10月，公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新和领先。通过高起点、强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的*，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。

公司创始团队由3位资深GaN-on-Si技术/产业专家构成，以深港微电子学院于洪宇教授和美国知名氮化镓公司研发VP领衔，前华为GaN产业共同创始人加盟，构建了完整的技术、制造、市场的铁三角，厚积薄发。通过成熟领先的产品，推动GaN技术国产化，依托中国巨大电源应用市场和国家第三代半导体产业政策的支持，向氮化镓产业顶峰进军，助力国家第三代半导体产业目标的突破。

GaNPower量芯微

苏州量芯微半导体有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中国注册成立的公司。GaNPower于2015年在加拿大成立，总部位于加拿大温哥华市。GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。

苏州量芯微半导体公于2019年荣获苏州工业园区第十三届金鸡湖 科技 领军人才称号；《氮化镓功率器件及相关产业化应用》被列为政府重点扶持项目。公司的氮化镓功率器件产品荣获行业权威大奖：2020年ASPENCORE中国IC设计成就奖之年度功率器件奖。公司目前拥有40项美国和中国的专利及申请。

据悉，量芯微半导体已经推出650V氮化镓功率器件，适用于45W-300W快充。

Innoscience英诺赛科

英诺赛科 科技 有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。

自从2017年建立全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线以来， 目前英诺赛科已经发布和销售多款650V以下的氮化镓功率器件，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，能广泛应用于多个新兴领域， 如快充、5G 通信、人工智能、自动驾驶、数据中心等等。

目前，英诺赛科已经建成了全球最大的氮化镓工厂，在USB PD氮化镓快充市场，英诺赛科650V高压氮化镓功率器件已经在努比亚、魅族、MOMAX、ROCK等众多知名品牌产品中得到应用，并在近期推出第二代InnoGaN产品，性能较上一代有显著提升。

此外，英诺赛科还推出了多款低压GaN功率器件，适用于同步整流、DC-DC电压转换以及激光雷达等领域。在全球市场中，英诺赛科是少有具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM芯片原厂。

infineon英飞凌

英飞凌 科技 股份公司是全球领先的半导体 科技 公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。

英飞凌电源与传感系统事业部提供应用广泛的电源、连接、射频（RF）及传感技术，让充电设备、电动工具、照明系统在变得更小、更轻便的同时，还能提升能效。新一代的硅基/宽禁带半导体解决方案（碳化硅/氮化镓）将为5G、大数据及可再生能源应用，带来前所未有的突出性能和可靠性。

高精度XENSIV 传感器解决方案为物联网设备赋予了人类的感官功能，让这些设备能够感知周遭的环境，并做出“本能”反应。音频放大器产品扩充了电源与传感系统事业部的产品线，让智能音箱及其它音频应用设备能够提供卓越的音质体验。

Navitas纳微

纳微半导体是全球领先氮化镓功率IC公司，成立于2014年，总部位于爱尔兰，拥有一支强大且不断壮大的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、应用、系统、设计和市场营销方面，拥有行业领先的丰富经验，公司创始者拥有320多项专利。

GaNFast功率IC将GaN功率（FET）与驱动，控制和保护集成在一起，可为移动、消费电子、企业、电动交通和新能源市场提供更快的充电，更高的功率密度和更强大的节能效果。纳微在GaN器件、芯片设计、封装、应用和系统的所有方面已发布和正在申请的专利超过120项，已完成生产并成功交付了超过1300万颗GaNFast氮化镓功率IC，产品质量和出货量全球领先。

近期，纳微半导体也推出了最新一代氮化镓功率芯片NV6128，内置驱动和保护功能，适用于大功率快充产品。凭借优异的产品性能，纳微半导体已经成为小米、OPPO、联想、戴尔、LG等众多知名品牌的氮化镓芯片供应商，基于GaNFast芯片开发的产品多达百余款。

PI

Power Integrations 是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。

PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。SCALE 门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动 汽车 和高压直流输电等。

自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart 节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。

充电头网拆解了解到，PI的氮化镓芯片已被小米、OPPO、ANKER、绿联、belkin等多个品牌的快充产品采用。此外，PI还推出了全新的MinE-CAP IC，用于快充充电器时，体积可缩小40％。

ST意法半导体

意法半导体（STMicroelectronicsST）是全球领先的半导体公司，提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。享受 科技 、享受生活，意法半导体主张 科技 引领智能生活（life.augmented）的理念。意法半导体2018年净收入96.6亿美元，在全球拥有10万余客户。

目前，ST意法半导体推出了一款GaN半桥器件，内置驱动器和两颗氮化镓，并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计。

Texas Instruments德州仪器

德州仪器 （Texas Instruments）是全球领先的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片。数十年来，TI一直在不断取得进展，推出的80000多种产品可帮助约100000名客户高效地管理电源、准确地感应和传输数据并在其设计中提供核心控制或处理，从而打入工业、 汽车 、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。

2020年11月10日，德州仪器推出了650V和600V两款氮化镓功率器件，进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。

Transphorm

Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。

得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。充电头网拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化镓充电器内置的正式Transphorm公司的GaN器件。

XINGUAN芯冠 科技

大连芯冠 科技 有限公司是全球领先的第三代半导体氮化镓外延及器件制造商，致力于硅基氮化镓外延与功率器件的研发、设计、生产和推广，拥有先进的外延材料与功率器件生产线，提供650V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。广泛应用于消费类电子（快充、大功率适配器等）、工业电子与 汽车 电子等领域。

芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。

充电头网总结

从三年前GaN技术开始在消费类电源领域商用，到如今市售GaN快充已经多达数百款，市场发展速度可谓是突飞猛进。这一方面是借助各大手机、笔电厂商陆续入局的产生的品牌影效应，另一方面也离不开氮化镓快充生态的日趋完善。

就充电头网本次不完全统计，已经布局快充市场的氮化镓芯片供应商已经多达16家，方案多达数百款；并且涵盖了多样化的封装方式，完全可以满足当前快充电源市场对核心器件的选型需求。

相信随着国家十四五规划对氮化镓产业的大力扶持，入局氮化镓功率芯片的厂商数量将越来越多。不仅产品类型将会的得到进一步完善，更重要的是当氮化镓产业呈现规模化发展后，电源厂商开发氮化镓快充的成本将会得到优化；而氮化镓功率芯片也将成为越来越多高性能快充电源产品的首选。

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