金属应变片和半导体应变片有什么相同和不同之处?

一、相同点：在一定条件下可以改变自身的物理性质，但是材料组成不同，灵敏度不同，金属是自身的特性，半导体是许多不同物质在一起改变了自身的特性。

二、区别：

1、作用不同：

都是基于压阻效应，也就是受到压力时其电阻值会发生变化，但半导体应变片的灵敏系数比金属应变片要大很多，用于大信号输出的场合。

2、影响不同：

半导体应变片但是机械强度低，受温度影响大。

金属应变片机械轻度高，灵敏度低，成本也低。

3、含义不同：

金属丝是基于应变效应，而半导体才是基于压阻效应。

扩展资料：

电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。

半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率发生变化的现象。

参考资料来源：百度百科-应变片

金属是由金属原子组成的晶格和自由电子组成的,实际参与导电的是自由电子.晶格是一直振动的,和分子的热运动相关.金属之所以有电阻是由于晶格对自由电子的定向移动的阻碍.而且由于温度越高,晶格震动越强烈,所以它的阻碍效应就越明显,这是金属电阻随温度升高而变大的原因. 对于半导体,它不像金属那样有很多自由电子,它的电子基本都被束缚在原子核上.所以它需要一定的温度或者光来激发,是它的电子获得足够的能量,摆脱原子核的束缚,从而成为能够参与导电的粒子.所以温度升高,能够参与导电的粒子就越多,电阻就越小.

题主是否想询问“金属和半导体激发态的区别是什么”?温度。半导体与金属都能使电流动，不同之处在于其电导率(对温度依赖关系不同。金属和半导体激发态的区别是温度。金属的电阻率随着温度的升高而升高，半导体的电阻率随着温度的升高而降低。

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