什么是半导体的状态密度？

状态密度g（E）就是在能量为E的能带附近单位能量间隔内的量子态数。通俗的讲就是能容纳电子或空穴的个数。量子态密度乘以费米分布函数（量子态被电荷占据的概率）再从导带底到无穷大积分便可求的导带电子浓度。

态密度只是一个相对大的概念，态密度包括能态密度和电子态密度。态密度就是能量E-E+△E间隔内的态，简单地说就是E附近单位能量间隔内的态数目N（E），知道E带入N(E)函数就求出E附近的态数目。相应的能态密度就是用能级E（k）来求，相信你也会求。一个能态就是一个能级，每个能级包含两个量子态，每个量子态容纳一个电子，所以一个能态有两个电子态，能态密度的2倍是电子态密度。 我是从《半导体物理》理解的，以上只是个人见解。

半导体掺杂之后会引入杂志能级，以目前主流的半导体Si进行掺杂为例：Si为4族元素，掺杂3族元素B，B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中，形成P型半导体。此时Si元素为杂志提供了电子，则半导体中载流子为空穴。Si为4族元素，掺杂5族元素P，P元素电离后作为施主能级存在在半导体之中，形成N型半导体。此时Si元素为杂志提供了空穴，则半导体中载流子为电子。掺杂后引入杂质能级（轻掺杂）：P半导体的受主能级会在Ei下方，即接近价带顶。N半导体的施主能级会在Ei上方，即接近导带底。Ei为能带中线。一般来说，掺杂过后Eg（带隙）不会发生较大改变。Eg=Ec-Ev，Ec为导带底、Ev为价带顶。如果可以看态密度图的话，可以将态密度图与能带图相对应，找出能级贡献量较大的离子，如果该能级为Si提供，则可以判断为原能级，如果能级为P、B提供则为引入的杂志能级。希望能帮到你，谢谢

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