固态硬盘性价比推荐

随着芯片价格的不断走低，以及技术的不断进步，固态硬盘价格正在一步步向着消费者希望的方向走着，性价比这个词理解其实就是便宜且好，电子和数码类目的产品购买的时候总喜欢带着这个词儿。

作为电子达人的我，根据自己一直以来的购买和使用体验，来整理5款我自己用过固态硬盘性价比高的产品推荐给你：三星 SSD 750 EVO、东芝Q300、饥饿鲨(OCZ) Trion、影驰铁甲战将系列、金士顿UV400。

下面，随我一起来看看相关信息~

一、三星 SSD 750 EVO 250G

效果评星：★ ★ ★ ★

参考价格：569RMB

推荐理由：

三星SSD 750EVO 250G SSD固态硬盘采用了三星NAND技术和MGX控制器，拥有高达540MB/s 、520 MB/s 的顺序读取和写入速度以及高达97,000/88,000 IOPS*的随机读取和写入速度，处理多任务的速度比以前更快。售价仅为569元，值得玩家们选择。

三星 SSD 750 EVO 250G SSD态硬盘采用传统2.5寸盘规格，6.8毫米厚度，SATA 6Gbps接口，搭载缓存256MB DDR3，主控为三星MGX。尺寸为100mm*69.85mmm*6.8mm，即厚度控制在极致的7mm。固态硬盘读取速度为540M/S、写入520M/S，采用SATA 3.0接口(同时向下兼容SATA2.0和SATA1.0)，提供3年质保。颜值超高、性价比超好，而且性能还如此强悍的SSD是不是让你很动心。

二、东芝Q300

效果评星：★ ★ ★ 

参考价格：529RMB

推荐理由：

东芝Q300在消费者中口碑一直非常不错，而且销量极高，此款产品采用东芝主导研发的UMC 55nm主控，匹配和支持TLC以及3D闪存。它具备八通道NAND（32CE）、四核心、Smart ECC、Smart Flush等技术，以及256-bit AES、TCG Opal2.0安全加密技术。Flash是东芝生产的第三代A19nm 64GB eTLC颗粒，e的意思是企业级，eTLC就是企业级TLC颗粒。

三、饥饿鲨(OCZ) Trio

效果评星：★ ★ ★ ★

参考价格：599RMB

推荐理由：

固态硬盘更新速度迅猛，各种品牌机型不断翻新。今天，我为大家推荐一款饥饿鲨出品的OCZ Trion 150。此款固态硬盘使用东芝15纳米TLC闪存芯片，优化了主控芯片固件，同时启用了最新的产品外观视觉设计，更加鲜艳立体化，符合近期电竞以及DIY升级的市场潮流。现在京东售价599元。

OCZ Trion 150 240GB SSD配备独立的高速缓存，预留的6.25%的二级OP冗余缓存，用于增强使用寿命和性能。因此这款SSD配备256GB容量的闪存，可使用的闪存容量为240GB。OCZ Trion 150 240GB SSD为2.5英寸标准规格，厚度为7mm，支持Trim垃圾回收机制。它支持SATA3.0 6Gbps速率接口（兼容SATA2.0接口），适用于超极本、轻薄笔记本电脑、台式机电脑升级！

四、影驰铁甲战将系列 

效果评星：★ ★ ★ ★

参考价格：499RMB

推荐理由：

影驰铁甲战将系列 240G 2.5英寸SATA3固态硬盘 京东售价499元>>购买链接

影驰坚持并倡导业内极具诚意的“3年包换”服务，如果用户的固态硬盘出现故障即可“零等待”更换SSD，这是影驰对用户的重视，也是对自己产品的自信。在耐久性测试中影驰SSD拥有十分不错的表现，在150天的超长测试中单盘最大总计写入914T的庞大数据量并且完美通过掉电测试，相当于普通用户正常使用450年以上。

五、金士顿UV400

效果评星：★ ★ ★ ★

参考价格：519RMB

推荐理由：

进入2016年，越来越多的固态硬盘厂商都选择了使用TLC闪存，虽然理论寿命不如MLC，但是凭借着价格便宜特别是240GB及以上大容量产品有着MLC无可比拟的优势，TLC闪存SSD正成为越来越多人的选择。

金士顿针对入门消费级市场推出了全新的SSDNow UV400系列SSD，标准的2.5寸规格7毫米厚度，采用了Marvell 88SS1074主控芯片，四通道，闪存为TLC，功耗为闲置0.59W，平均0.672W，最大0.693W。读取时候最大2.72W，写入存储温度：-40°C~85°C。平均无故障时间为100万小时。

小贴士：

1、不要使用磁盘工具对固态硬盘进行“碎片整理”。固态硬盘和机械硬盘不一样，机械硬盘读写过程中产生的碎片积累多了会影响性能，需要整理，固态硬盘则不然，碎片整理对固态硬盘无效。

2、不要过多地使用性能测试工具。固态硬盘的性能比机械硬盘强太多，于是跑分测试然后截图就成了玩家们常做的一件事。这样会对固态硬盘造成更大的读写损耗，加快性能下降的速度。

3、要注意开启“Trim”。Trim的作用是对固态硬盘进行合理的优化，以降低其性能下降的速度。

4、选择高性能电源模式。节能在节省电能的同时性能也同时开始下降，对固态硬盘也有如此的影响。

【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中，施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。如果在硅单晶中掺入五价元素砷、磷。则在硅原子和砷、磷原子组成共价键之后，磷外层的五个电子中，四个电子组成共价键，多出的一个电子受原子核束缚很小，因此很容易成为自由电子。所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子，产生同数量的空穴，从而改变了半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中，受主杂质的数量占多数，则这半导体是p型半导体。如果在单晶硅上掺入三价硼原子，则硼原子与硅原子组成共价键。由于硼原子数目比硅原子要少很多，因此整个晶体结构基本不变，只是某些位置上的硅原子被硼原子所代替。硼是三价元素，外层只有三个价电子，所以当它与硅原子组成共价键时，就自然形成了一个空穴。这样，掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴，从而使硅单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子，主要kao空穴导电，所以叫做空穴半导体，简称p型半导体。【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质，使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体，当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时，这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄，结中电子和和空穴都很少，但在kao近n型一边有带正电荷的离子，kao近p型一边有带负电荷的离子。这是因为，在p型区中空穴的浓度大，在n型区中电子的浓度大，所以把它们结合在一起时，在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴，n区几乎没有空穴，空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子，p区几乎没有电子，所以电子就要由n区向p区扩散。随着扩散的进行，p区空穴减少，出现了一层带负电的粒子区；n区电子减少，出现了一层带正电的粒子区。结果在p－n结的边界附近形成了一个空间电荷区，p型区一边带负电荷的离子，n型区一边带正电荷的离子，因而在结中形成了很强的局部电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即p区加电源正极，n区加电源负极）时，这电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压相反时，则这电场增强，只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过，因而电流很小。因此p－n结具有整流作用。当具有p－n结的半导体受到光照时，其中电子和空穴的数目增多，在结的局部电场作用下，p区的电子移到n区，n区的空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷积累，形成电势差。这现象称为p－n结的光生伏特效应。由于这些特性，用p－n结可制成半导体二极管和光电池等器件。如果在p－n结上加以反向电压（n区加在电源正极，p区加在电源负极），电压在一定范围内，p－n结几乎不通过电流，但当加在p－n结上的反向电压越过某一数值时，发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p－n结被击穿后便失去其单向导电的性能，但结并不一定损坏，此时将反向电压降低，它的性能还可以恢复。根据其内在的物理过程，p－n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。

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