高压线上的半导体层起什么作用？

高压线上的半导体作用是：当屏蔽层

在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层，同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层，

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

第一点：电力

MOSFET

大多采用了垂直导电结构，增大了通过电流的有效面积，使其能够承受更大的电流。

第二点：电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。

第三点：电力MOSFET多了个低掺杂N区，该区由于掺杂浓度低，使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此能承受高电压。

第四点：mosfet工艺是一样的，是可以通用的，不是说信息电子电路mosfet就不能用在电力上，电力的一些设备也有只需要低压小电流的。

【电力场效应晶体管】

1，电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。

2，P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高。但是其电流容量小，耐压低，只用于小功率的电力电子装置，其工作原理与普通MOSFET一样。

3，用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置

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4，利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。

5，N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。