
当给半导体二极管施加正向电压时,外电场削弱内电场,多子扩散运动加强,PN节导通。
当给半导体二级管施加反向电压时,外电场加强内电场,多子扩散运动减弱,PN节绝缘。
这句话是正确的。
在外部的电场作用下,因为半导体内部具有两种载流子——电子和空穴,所以在半导体内部会导致载流子因为漂移运动而产生漂移电流。这当然是在仅仅考虑施加外部电场的情况下,就是不考虑光照等其他可能导致其他电流的情况发生。
施加外部电场,会使得半导体满足电流的连续性方程。可以使用电流连续性方程求解,解得半导体的相关参数。
1、半导体工艺中无法制造出100%纯净的本征半导体,从现在应用的角度来看,制造本征半导体意义不大,很多时候需要的是掺杂的半导体。2、以Si为例,其制作过程可以归纳为先用各种反应得到纯净的Si,然后在用拉晶过程将液态的Si拉成单晶Si。拉晶的过程比较经典的就是直拉法。以一小块单晶Si作为籽晶,通过一定个工艺条件使液态的Si附着在籽晶上形成单晶体。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)