
人们现在认识的宇宙世界能量是释放的宇宙,物质的能量是衰减的,就这意义上说半导体内部能量也是衰减的,半导体材料内部的能带的降低伴随着导电特性机理的下降,反向击穿电压势必降低。
以陶瓷作为介电物质的为陶瓷电容,陶瓷是不导电的,两边的导电金属膜在电压增高后则形成电场,当长时间在电场作用下,会有少量的电子以及离子的交换或渗透现象,这个原理可以这样理解,老陶瓷在鉴定过程中叫作“沁”,就是部分离子进入内部,即渗透的过程。半导体行业中所称扩散层也是这个意思。当有极少量的金属进入其中,影响其介电常数则是不言而喻的,其容量,耐压指标发生变化就是所谓的老化现象了。在直接耦合的放大电路中,即使将输入端短路,用灵敏的直流表测量输出端,也会有变化缓慢的输出电压。这种输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象,称为零点漂移现象。在放大电路中,任何参数的变化,如电源电压的波动、元件的老化、半导体元件参数随温度变化而产生的变化。都将产生输出电压的漂移。在阻容耦合放大电路中,这种缓慢变化的漂移电压都将降落在耦合电容之上,而不会传递到下一级电路进一步放大。但是,在直接耦合放大电路中,由于前后级直接相连,前一级的漂移电压会和有用信号一起被送到下一级,而且逐级放大,以至于有时在输出端很难区分什么是有用信号、什么是漂移电压、放大电路不能正常工作。
采用高质量的稳压电源和使用经过老化实验的元件就可以大大减小由此而差生的漂移。所以由温度变化所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移现象的主要原因,因此也称零点漂移为温度漂移,简称温漂。
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