半导体传感器具体可以测量哪些物理量及其工作原理

◆半导体的一些特性∶掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。），热敏性，光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。），负电阻率温度特性，整流特性，磁变特性。因此用半导体制作的传感器就可以测量多方面的物理量：

●热敏传感器：利用半导体在不同温度下具有不同电阻的特性来测量物体的温度；

●光敏传感器：利用半导体受光量的不同而具备的电阻率的不同，实现光强度的测量、亮度自动控制，或利用遮光原理实现计数、转速测量及先后次序测量等；

●负阻特性可用来检测温度变化，实现恒稳控制等应用，也可以监控电压电流变化；

●利用参杂性可实现化学性质变化的测量和报警，可制成烟雾、瓦斯报警器等。

●利用半导体的磁特性设计的霍尔传感器，可以测磁、测距。

◆所有根据半导体的特性设计的传感器都可认为是半导体传感器。

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

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