为什么中国放弃了半导体

因为全球半导体的实际需求大部分是在上一代技术领域。

半导体短缺导致世界各地的汽车和消费电子制造商悲鸣的是因为技术上10纳米以上的通用品买不到。

作为中国设备投资的结果，也许在三、四年后，全球市场将充满中国制造的低成本、高质量的上一代技术的半导体。制造业最需要的是功率半导体、传感器和控制电机的模拟元件。线宽只有28、40和65纳米。这不会因为电动车（EV）的普及和数据中心的林立而改变。

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如果是半导体上一代技术，不会受安全保障上的制约，在美国的监管框架之外，中国制造商几乎可以自由出口到世界各地。“纳米竞争”看似很简单，以至于忽略了来自中国的价格破坏能力。

这让人想起之前的钢铁行业。日本和世界的一些大型钢铁企业，被中国压倒性的生产力量打败而被淘汰。虽然在技术上赢了，但在市场上输了。有必要关注这样的历史会不会在半导体行业重演。

中国推动数字领域创新的首要举措之一是国际数字丝绸之路（DSR），它是“一带一路”倡议的组成部分。 通过 DSR，中国将拓展国外市场，确保国外供应商的持续供给，和进入海外消费市场，并建立信息和通信技术的技术标准。 如果成功，DSR 将为中国的经济创新提供稳定的需求， 这正是政府追求的目标。 然而，DSR 及其充满希望的创新取决于中国在硬件方面的成功。 尽管中国面临着国外的竞争，但中国经济创新的最大障碍是国内。 中国成为 5G 技术的领导者，但其创新水平落后于其他领域。 中国的主要创新挑战是缺乏高价值数字硬件的本土能力，尤其是半导体逻辑芯片。

2010-2020年，中国试图整合半导体产业，鼓励国内半导体企业共享研发，让外国减少出口管制，从国外获得高技能人才。然而，到 2022 年初，中国仍然没有设计或制造大量价值最高的半导体逻辑芯片（中国市场份额不到 1%，中国在全球市场中的份额不到 6%）。但这只是问题的一部分。两个最高价值的半导体逻辑芯片是中央处理单元 (CPU) 和图形处理单元 (GPU)。正如乔治卡尔霍恩所指出的，在这两个类别中，中国生产的芯片不仅质量低劣，而且缺乏竞争力，即使在中国也是如此。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

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