功率ICXN,ION是什么缩写？ 我只想知道各个字母是什么的缩写，分别代表什么

I表示陆地inland；（也有可能是ISO，但是M一般表示船用，所有我猜I应该是inland，不是ISO）

C表示连续continuous；

X是罗马数字10

N我也没有搞明白，但是所有的功率模式下最后一个字母都是N，我不是这个专业的，你思考一下

O表示超负荷overload

一家之言

一般情况下，ND<NC或NA <NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于价带之中或与价带重合。

选取EF = EC为简并化条件，得到简并时最小施主杂质浓度：

选取EF = Ev为简并化条件，得到简并时最小受主杂质浓度：

半导体发生简并时：

（1）ND ≥ NC；NA ≥ NV；

（2）ΔED越小，简并所需杂质浓度越小。

（3）简并时施主或受主没有充分电离。

（4）发生杂质带导电，杂质电离能减小，禁带宽度变窄。

扩展资料

半导体芯片的制造过程可以分为沙子原料（石英）、硅锭、晶圆、光刻，蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。

1、沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。

2、硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭。

3、单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999%。

4、硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer）。

5、晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。

6、光刻胶（Photo Resist）：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。

7、光刻：光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线（UV）之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。

8、溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。

9、蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。

10、清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。

再次光刻胶：再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。

11、离子注入（Ion Implantation）：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。

12、清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。

13、晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材（品红色）上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。

14、电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极（阳极）走向负极（阴极）。

15、铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。

16、抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。

17、金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。

18、晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。

19、晶圆切片（Slicing）：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是芯片的内核（Die）。

20、丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步

21、封装

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-简并半导体

空穴

hole

实体词" target="_blank">半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中，或被受主型杂质俘获，在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键)，称为空穴。当它被邻近原子的价电子占据时，将在邻近产生新的空穴，其效果相当于空穴的移动。人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体，既简便又确切。

共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴。

空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道

空穴的定义:

当满带顶附近产生p0个空态时,其余大量电子在外电场作用下所产生的电流,可等效为p0个具有正电荷q和正有效质量mp,速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流.这样的准经典离子称为空穴.

空穴的特征:

1.荷电量与电子相等但符号相反,既荷+q

2.有效质量数值等于价带顶空态所对应的电子有效质量,但符号为正,即mp=-mn

3.速度为价带顶空带所对应的电子速度

4.浓度等于空态密度p0

自由电子

金属导体中的自由电荷。金属原子的外层电子(价电子)脱离原子核束缚后而成为自由电子。铜的自由电子密度为8?5×10??28米??-3。各种金属的自由电子密度有相同的数量级。n型半导体中的多数载流子是自由电子。

离子

ion

基本概念

离子是原子或原子团由于得失电子而形成的带电微粒。

原子是由原子核和核外电子组成，原子核带正电荷，绕核运动的电子则带相反的负电荷。原子的核电荷数与核外电子数相等，因此原子显电中性。如果原子从外获得的能量超过某个壳层电子的结合能，那么这个电子就可脱离原子的束缚成为自由电子。一般最外层电子数较少的原子、或半径较大的原子，较易失去电子反之，则较易获得电子。当原子的最外层电子轨道达到饱和状态(第一周期元素2个壳层电子、第二第三周期元素8个电子)时，性质最稳定。

分类

当原子得到一个或几个电子时，核外电子数多于核电荷数，从而带负电荷，称为阴离子。

当原子失去一个或几个电子时，核外电子数少于核电荷数，从而带正电荷，称为阳离子。

(络离子是指由某些分子、原子或阳离子通过配位键与电中性分子或阴离子形成的复杂离子，例如水合离子。络离子本身可以属于阳离子或阴离子。)

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