氮化镓龙头企业有哪些？

1、三安光电

化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

2、闻泰科技

其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。

3、耐威科技

公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。

4、南大光电

公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。

5、海陆重工

旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓（ GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

氮化镓的性质与稳定性：

1、如果遵照规格使用和储存则不会分解。

2、避免接触氧化物，热，水分/潮湿。

3、GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。

4、在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸气压比从焓和熵计算得到的数值低，这是由于有多聚体分子(GaN)x的存在。

5、GaN不被冷水或热水，稀的或浓的盐酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的浓碱中也是稳定的，但在加热的情况下能溶于碱中 [5]  。

以上内容参考：人民网—氮化镓：黑电老牌企业康佳“弯道超车”的助推剂

康佳股票来自康佳集团，近日在经历了15个交易日9次涨停之后，2月24日，2月份最火股票之一深康佳A首现跌停。截至2月26日收盘，深康佳A报10.01元/股，总市值241亿元。自今年1月23日以来，公司股价涨幅超过111.18%。而这一切的起因在于1月20日左右，有媒体报道称"康佳半导体首款存储主控芯片KS6581A首批10万颗量产出货"。到1月23日开盘，深康佳A迅速拉至涨停。

1.对于半导体布局的虚实与成色，3月9日，康佳相关负责人向时代周报记者回应称，随着国内显示产业的崛起，“少屏”迎刃而解，但“缺芯”问题仍然突出，康佳集团结合自身需求，重点沿光电显示和存储两个方向发展半导体。康佳方面人士声称：“由于存储、光电等产业国产化的空间较大，存储是半导体领域内市场规模仅次于CPU的子产业，且康佳几年前就已涉足存储芯片分销，有一定的业务基础，同时未来云计算、云储备又将给存储产业创造更大的成长空间，因此，康佳半导体业务沿着存储、光电两个主要方向进行布局。”

2.表面上看，康佳集团近期股价异动与“销售1亿颗芯片”有关，深层次原因则是该公司战略转型给资本市场提供了巨大想象空间。今天的康佳，早已不是资本市场眼里的传统家电企业，而是一个由家电、环保、产业园、互联网等多个业务板块构建的投资平台，具有越来越强烈的科技公司色彩。

3.深康佳A回复函称，“争取在2020年销售存储主控芯片1亿颗”不构成本公司的业绩承诺，1亿颗芯片销售计划即使全部达成，也仅占本公司2020年销售收入的不到1%，不存在夸大、误导市场行为；控股子公司涉及的氮化镓相关技术，与小米利用氮化镓功率器件开发快充产品的技术不同，公司目前没有使用氮化镓技术开发快充产品的计划。

拓展资料:

近日，康佳宣布自主研发的主控芯片销量可达1亿片，使得自己股价大涨，连续出现9个涨停，对于这样的股价波动，康佳的股东们自然高兴，但是证监部门不得不担忧这是否存在夸大、误导等问题，深交所发了《关注函》，要求康佳说明相关问题。

随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。

相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。

氮化镓、高电流密度等优势，可显著减少电力损耗和散热负载，迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，是未来最具增长潜质的化合物半导体。

与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。

随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。

GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。

在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。

氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。

根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。

同时，由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围，需要安装更多的晶体管，因此市场规模将迅速扩大。

Yole预测，GaN器件收入目前占整个市场20%左右，到2025年将占到50%以上，氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。

从产业链方面来看，氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。

尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。

从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。

从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。

GaN技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。

其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商，占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商，逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。

近年来随着产品和市场的多样化，开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。

尤其在GaN电力电子器件市场，由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能，美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。

在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。

GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域，GaN PA具有最高功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度略低，目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。

经过多年的发展，国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。

根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示，截至报告日，国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%；在4G方面有30%的占有率，产品以中低端为主，销售额占比仅有10%。

目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向，是中国 科技 崛起不可回避的环节，产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持，并具备弯道超车的可能。

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