求解（关于半导体的）(小学生也可以弄的）

半导体

什么是半导体呢？

顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，

1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。

半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。

本征半导体(intrinsic semiconductor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conduction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

杂质半导体(extrinsic semiconductor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

编辑词条

开放分类：

技术、电子、半导体物理

参考资料：

1.Introduction to Solid State Physics - by Charles Kittle

半导体应用：

硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。

中彰国际（SINOSI）是一家致力于尖端科技、开拓创新的公司。中彰国际（SINOSI）能够规模生产和大批量供应单晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉抛光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和区熔NTD磨片并且可以按照国内、外客户的要求提供非标产品。

单晶硅

单晶硅主要有直拉和区熔

区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。

各项参数可按客户要求生产。

多晶硅

区熔用多晶硅：可生产直径Φ40mm－Φ70mm。直径公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各项参数可按客户要求生产。

切磨片

切磨片可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、总厚度公差、翘曲度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。

抛光片

抛光片可生产直径范围为：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、总厚度公差、翘曲度、平整度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。

高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料，硅纯度要求99.999％。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。

单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等，处处离不开单晶硅材料；在高科技领域，航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造，单晶硅同样是必不可少的原材料。

在科学技术飞速发展的今天，利用单晶硅所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能单晶硅的利用将普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。

直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。

区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。

直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。

硅单晶被称为现代信息社会的基石。硅单晶按照制备工艺的不同可分为直拉（CZ）单晶硅和区熔（FZ）单晶硅，直拉单晶硅被广泛应用于微电子领域，微电子技术的飞速发展，使人类社会进入了信息化时代，被称为硅片引起的第一次革命。区熔单晶硅是利用悬浮区熔技术制备的单晶硅。它的用途主要包括以下几个方面。

1、制作电力电子器件

电力电子技术是实现电力管理，提高电功效率的关键技术。飞速发展的电力电子被称为“硅片引起的第二次革命”，大多数电力电子器件是用区熔单晶硅制作的。电力电子器件包括普通晶闸管(SCR)、电力晶体管GTR、GTO以及第三代新型电力电子器件——功率场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(PIC)等，广泛应用于高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、励磁、电加热、高性能交直流电源等电力系统和电气工程中。制作电力电子器件，是区熔单晶硅的传统市场，也是本项目产品的市场基础。

2、制作高效率太阳能光伏电池

太阳能目前已经成为最受关注的绿色能源产业。美国、欧洲、日本都制定了大力促进本国太阳能产业发展的政策，我国也于2005年3月份通过了《可再生能源法》。这些措施极大地促进了太阳能电池产业的发展。据统计，从1998—2004年，国际太阳能光伏电池的市场一直保持高速增长的态势，年平均增长速度达到30%，预计到2010年，仍将保持至少25%的增长速度。

晶体硅是目前应用最成熟，最广泛的太阳能电池材料，占光伏产业的85%以上。美国SunPower公司最近开发出利用区熔硅制作太阳能电池技术，其产业化规模光电转换效率达到20%，为目前产业化最高水平，其综合性价比超过直拉单晶硅太阳能电池（光电转换效率为15%）和多晶硅太阳能电池（光电转换效率为12%）。这项新技术将会极大地扩展区熔硅单晶的市场空间。据估计，到2010年，其总的市场规模到将达到电力电子需求规模，这是本项目新的市场机会。

3、制作射频器件和微电子机械系统（MEMS）

区熔单晶还可以用来制作部分分立器件。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，显示出巨大的应用前景。这也是区熔单晶的又一个新兴的市场机会。

4、制作各种探测器、传感器，远红外窗口

探测器、传感器是工业自动化的关键元器件，被广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域。高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。

图片参考：

http://www.sinosi.com/chinese/Products%20Gallcry/Semi-Silica/Semi-Conductor%20Silicon.htm

http://www.istis.sh.cn/list/list.asp?id=2214

固态存储设备

一、固态存储设备的应用

在航空航天信息处理系统中，大容量固态存储器有磁泡和半导体盘。其主

要优点是没有机械运动部件、比磁盘、磁带存储器更能承受温度、振动、冲击

。90年代初Intel公司推出新型闪速存储器（Flash Memor

y）后，受到宇航系统及其它抗恶劣环境计算机应用领域高度重视。这种半导

体存储器是非易失性的，当电源有故障或被切断后，信息仍保存完整。

闪速存器基本特点是可以电擦除，并且可按字节重新编程，特别适合用在

实时模拟和电子战场合。Flash Memory现也译为快速擦写存储器

。

在宇航系统中Flash Memory主要用在以下领域：

（1）数据采集子系统。所采集的数据可以周期性地从芯片中取出，进行

分析、综合。电擦除后，Flash Memory成为空白芯片，可反复使

用万次以上。

（2）需要周期性地修改已存储的代码和数据表。过去用EPROM（可

擦、可编程只读存储器），修改一次代码耗时15～20分钟，用Flash

只要一秒左右。擦除和重新编程可在同一系统或同一编程器插座中现场进行。

（3）宇航计算机研制阶段（组装、装配），用它存放硬件诊断、调试程

序，芯片直接装焊在电路板上，既可提高系统可靠性，又增加了调试灵活性。

此外，Flash可维修性优异，可通过串行通信口对电路上的芯片直接进行

改写，可显著降低维修费用。

（4）固化 *** 作系统，可以比装在软盘或硬盘上的 *** 作系统开机等待时间

大大减少，提高系统实时性。

（5）当要求系统关键数据安全性时，例如飞行员（领航、驾驶员）携带

飞机数据库中保密信息时，一旦被击落，要有安全措施或清除掉上述信息。美

国海军空战中心信息存储部门十分强调：要在几秒钟内全部清除掉所存信息。

对此磁盘或磁带机难以胜任。

因此，在航空航天及军事系统中，Flash具有非易失性、可电擦除、

高密度和快速诸优点。即使价格昂贵，一般也倾向优选此方案。

二、闪速存储器的基本工作原理

ETOX－Ⅱ（Eprom Tannel OXide）闪速存储器是

Intel公司推出的典型Flash产品，其工艺是由标准的Cmos E

prom工艺发展而来的，单元结构一样。两者差别在于ETOX－Ⅱ的栅极

氧化层较薄，为100～120�，使它具有电擦除功能。而Epron的氧

化层一般为325�。

下面从编程（信息写入）和擦除原理方面进行分析。

1．编程原理

Flash和Eprom的编程原理相同。控制栅上接＋12V±5％的

编程电村Vpp，漏极（drain）上外加5V电压，源极（Source

）接地。漏源极间的电场作用使电子空越沟道，在控制栅的高电压吸引下，这

些自由电子越过氧化导进入浮置栅，（Floating gate），一旦

该栅获得足够多的自由电子，源漏极间便形成导电沟道（接通状态）。信息存

储在周围都绝缘的浮置栅上，即使电源切断，信息仍然保存。

2．擦除原理

Flash的擦除原理和Eprom完全不同。电擦除可编程只读存储器

（EEPROM）每位信息可用电来擦除；而紫外（UV）型Eprom（U

VEPROM）是靠紫外光束来“中和”浮置栅上的电荷实现整体擦除的。

Flash备两种Eprom特点。在源极上施加高电压Vpp，而控制

栅接地，在这种电场作用下，浮置栅上的电子就越过氧化层进入源极区域，被

外加电源全部中和掉，实现整体擦除。随着存储容量增大，Flash也可采

取分区擦除。

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三、Flash存储器芯片及半导体固态盘产品现状

美国两大供应Flash存储芯片的厂商是Intel和AMD。前者约

占70％，AMD占16～30％市场。

Intel公司16Mbits芯片1993年面市，1994年春已推

出单片32Mbits第四代产品。AMD公司将于1994年推出16Mb

its芯片，比商用产品推迟一季度交付军品芯片。

日本有四家公司生产供应4Mb FlashE〔2〕prom，它们是

东芝、日本电气（MEC）、三菱电机和日立，分别用512K×8b、25

6K×16b、或512K×6b以及512K×8b组成，可重写次数10

≥〔4〕次，生产工艺为CMOS、0．7～1．0μm，批量生产时间均为

1992年以后。

从逻辑结构上看，Flash是与或（NOR）逻辑，一般电源电压是＋

5V、＋12V。1987年东芝推出NAND与非逻辑的Nand Epr

om利用Fowler－Nerdhein隧道进行擦除和重写，电源电压只

用单一＋5V。它的位面积仅为Fash的36％，成本比Flash更低。

缺点是读出时间比Flash约慢10倍，在要求体积紧凑、电源单一、可靠

性高的场合Nand型更有潜在优势。第一个Flash产品是在美国的日本

公司开发的，但在生产和应用方面美国处于领先地位。

四、现有Flash存在的主要问题

虽然Flash具有电气整体擦除、高速编程（每个芯片总编程时间仍需

以秒计，每字节花费10～100μs）、低功耗、抗噪声、内部命令寄存器

结构可以和微处理器、单机片机微控制器写入接口兼容，以及比E〔2〕pr

om密度大、价兼、可靠等优点，但仍存在以下缺点和问题：

1．入时间过长（读出速度可与RAM相当）。不适合在军事宇航控制系

统中作随机存储器，适宜用作只读存储器（ROM）。

2．数据传输率不高。一般为270KB／S，而温盘机一般都超过1M

B／S。

3．Flash芯片仍存在极限寿命。过去几年，写入一擦除周期已从1

0〔5〕次提高到10〔6〕次。由于芯片的写入耐疲劳度所限，如果一个扇

区（Sector）被写入5万到10万次，它的氧化层就被磨损。

目前解决上述寿命问题的技术方案有以下三点：

（1）为回避此问题，Targa Electronics）公司研制

一种IDE（Integrated Device Electronic

s）接口的板级固态盘产品，该产品内装软件以保证数据完整性，一旦执行存

取 *** 作就将数据重新安排并且在扇区磁道上标注出已损坏的扇区号。

（2）Sundisk公司作为Flash盘的最早厂家之一已经较好地

解决了这一问题。它采用了纠错码（ECC）技术、磨损调整（Wear－L

eveling）技术，以及动态缺陷管理技术等。

所谓磨损调整技术就像更换汽车轮胎安装部位那样，当某一扇区已经写入

太多次数时，就把基中数据搬移到另一扇区去。

动态降管理技术，必要时把某一已坏的信息位（bit）重新映像到另一

位。Sundisk公司不让任一位写入次数超过5万次，据称使用具备这些

技术的存储系统工作100年也不会破坏。尽管Flash有寿命极限问题，

但可以克服。

Sundisk公司称它不依靠另加软件就可实现磨损调整功能并且该存

储系统能和DOS及Windows系统100％全兼容。虽然它主要面向商

用，但已在波音777飞机上安装使用。

4．在提高可靠性方面存在的问题及改进措施

（1）偶然性的擦除使信息丢失：为此Intel公司1990年在其F

lash芯片中增加了字组保护结构（boot block archit

ecture），它能保持一部分重要代码不被偶然擦除丢失。

（2）传统的Flash芯片为实现重新编程需要单独的外电源＋12伏

电路。为适应军品宽温（－55℃～＋125℃）变化，要求＋12伏±5％

严格控制允差范围，这对军用固态盘存储系统不合适。为此AND公司于19

93年4月推出一种单一＋5伏电源供电、1Mb Flash芯片，其写入

次数至少有10万次。采用这种芯片既提高了可靠性又使写入周期次数增大。

写入周期耐疲劳度（Write cycle endurance）指在每

一扇区内可以反复存储数据的次数。

今后，要求双电源（＋5，＋12伏）的芯片将渐被淘汰。

5．在仿真硬磁盘（HDD）时，占用主机CPU时间

传统的Flash芯片构成存储器时由主机系统的软件命令控制，花费C

PU时间。

AMD公司单电源（＋5伏）芯片中已装入“嵌入式算法”（Embed

ded algorithm）命令由它给出。

许多固态盘仿真旋转式HDD时，主要是CPU花费时间在它的I／O端

口上访问传统的驱动器。

五、现有抗恶劣环境固态盘

我们将适应宽温、耐冲击、抗振动并经过美国军标质量论证过的各公司产

品型号扼要列于表中，以供参考。

扬杰 科技 （300373）2020年半年度董事会经营评述内容如下：

一、概述

（1）研发技术方面

A、公司坚持以客户和市场需求为导向，加大新产品的研发投入，攻坚克难持续提高产品质量，计划2020年全年研发投入不低于销售收入的5%。公司积极响应国家“节能减排，降本增效”的号召，激励全体研发部门不断优化产品设计，取得技术工艺新突破，提升产品性能，实现资源利用率与生产效率的双提高。

B、报告期内，公司继续优化晶圆线产品结构，不断丰富产品线，拓展高可靠性产品规格和高能效产品系列，持续向高端转型。PSBD芯片、TSBD芯片已实现全系列量产并持续扩充新规格；FRED芯片、PMBD芯片已实现多规格量产，并逐渐向全系列扩展；LBD芯片、TMBD芯片、ESD防护芯片、LOWVF等新产品开发成功并实现了小批量生产；同时，全面提升TVS芯片的产品性能，有助于进一步提升公司在细分市场的领先地位。

C、报告期内，公司积极推进重点研发项目的管理实施。基于8英寸工艺的沟槽场终止1200VIGBT芯片系列及对应的模块产品开始风险量产，标志着公司在该产品领域取得了重要进展。公司成功开发并向市场推出了SGTNMOS和SGTPMOSN/P30V~150V等系列产品；持续优化TrenchMOS和SGTMOS系列产品性能并扩充规格、品种；快速部署低功耗MOS产品开发战略，积极配合国内外中高端客户，加速国产化替代进程。公司在深入了解客户需求的基础上，全面部署光伏产业产品更新迭代发展战略，加快新产品的研发速度。另外，公司在碳化硅功率器件等产品研发方面加大力度，以进一步满足公司后续战略发展需求，为实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定坚实的基础。

D、公司注重现有产品性能提升与技术突破，在研发中心成立课题研究小组，利用仿真软件与DOE实验相结合的方法，全方位、立体化、多角度地针对产品设计结构和关键性能参数进行改善实验，实现产品性能的优化提升，大幅度提高了产品的市场竞争力。

（2）市场营销方面

A、报告期内，公司继续以消费类电子行业为市场发展基础，大力拓展工业变频、自动化、网通等工业电子领域，重点布局5G通信、 汽车 电子、安防、充电桩、光伏微型逆变器等高端市场，挖掘公司新的利润增长点。

B、公司持续推进国际化战略布局，加强海外市场与国内市场的双向联动，实现产品认证与批量合作的无缝对接；同时加强“扬杰”和“MCC”双品牌推广管理，强化品牌建设，线下和线上相结合进一步提升品牌影响力，着重推动与大型跨国集团公司的合作进程。

C、公司坚持以精准化营销、全方位服务的原则进行市场推广，聚焦各行业内的标杆客户，加大对专业技术型销售人才的培养力度，努力提升客户满意度。

（3）运营管理方面

A、面对新冠疫情,公司快速响应政府号召,组建了疫情防控工作小组,扎实做好各项防疫工作，有序推进复工复产。同时，针对国外输入原物料，提前建立战略库存,保证供应链的持续、稳定。防疫复产两手抓，公司在确保员工 健康 和安全的同时，保障了客户订单的及时交付。

B、公司深耕运营体系管理，持续推动各制造中心实施精细化运营。报告期内，公司导入MPS生产计划模式,进一步扩大战略产品产能，关键产品建立库存，以缩短生产周期快速响应客户需求。公司以“满产满销、以销定产”为主轴,确保工厂的最大产能利用率，不断提高成本竞争力；同时，生管、设备、工程、采购等多部门联动，全方位推进降本增效项目，打造持续低成本的运营体系，努力实现2020年标准成本降低5%的目标。

C、公司持续强化工程品质能力,系统开展品质零缺陷管理活动。报告期内，公司与外部顾问公司合作导入零缺陷质量管理体系,制定零缺陷文化教材并进行推广，大力培养相关专业人才，增强善用工程品质工具持续改善问题的能力，杜绝同类品质问题再次发生，进一步强化全面质量管理。

D、公司持续推进智能制造系统建设，以适应公司的发展战略及业务需求。报告期内，公司推进BI（商务智能）系统建设，实现了销售、运营、财务等板块相关决策分析数据的即时化、可视化；完成了服务器虚拟化扩容，已形成SAP、MES双虚拟化私有云服务，提升了基础硬件设备的可用性及利用率；邀请外部专业顾问团队对SAP、MES、EAP等系统进行调研及持续改善，进一步优化了公司的内部管理流程，有利于提升公司的管理效能和经济效率。

（4）组织能力建设方面

A、营销组织能力建设：报告期内，公司出台并实施了客户经理任职资格管理制度，进一步完善了业务人员的职业发展通道和标准，并对全体业务人员进行了初始化认证；与此同时，公司优化并推出了一系列的业务激励政策，提升了公司的销售组织活力，报告期内公司业绩增长显著。

B、启用新的价值分配方案：公司推出了薪酬包管理机制，有效牵引各部门提升人效，上半年人效同比增长超过15%；同时，在疫情背景下开展调薪工作，有效助力销售额和利润大幅增长。

C、干部培训有效开展：公司启动了“杰英汇”干部培训项目，导入干部管理纲要、任职资格标准、角色认知等培训内容，并引进《商业领袖》系列在线课程进行系统学习与实践，有效帮助管理干部拓宽视野和提升工作能力。

二、公司面临的风险和应对措施 详见本报告“第一节重要提示、目录和释义”之重大风险部分。

三、核心竞争力分析 报告期内，公司在长期经营中所形成的技术优势、产业链优势、客户优势、质量管理优势、营销管理优势、规模化供应优势等核心竞争优势继续得以保持，核心竞争力进一步提升。 1、研发技术方面： （1）先进的研发技术平台 公司已整合各个事业部的研发团队，组建了公司级研发中心。公司级研发中心包含SiC研发团队、IGBT研发团队、MOSFET研发团队、晶圆设计研发团队、WB封装研发团队、Clip封装研发团队、新工艺研发团队、技术服务中心等8大核心团队，形成了从晶圆设计研发到封装产品研发，从售前技术支持到售后技术服务的完备的研发及技术服务体系，为公司新品开发、技术瓶颈突破、扩展市场版图等提供了强有力的保障。 2，分为可靠性实验室、失效分析实验室、模拟仿真实验室、综合研发实验室，是能够满足包括产品功能及环境测试，物化失效分析，产品电、热及机械应力模拟仿真等多项需求的一站式产品实验应用平台；实验室内配有适用于二极管、BJT、MOSFET、IGBT、功率模块等各系列产品的先进的研发测试设备，为公司芯片设计、器件封装、成品应用电路测试以及终端销售与服务的研发需求提供了全方位、多平台的技术服务保障。 公司已按照国内一流电子实验室标准建设研发中心实验室，建筑面积达5000m （2）完整的技术人才体系 多年来，公司持续引进国内外资深技术人才，形成了一支覆盖高端芯片研发设计、先进封装研发设计等各方面的高质量人才队伍。此外，公司通过“潜龙计划”，面向多所985、211院校开展人才校招工作，提供了优质的技术人才储备。为了确保后备人才能力的快速提升，公司实施了一系列人才培养计划，包括进修计划、轮岗机制、实施教练及导师制度等。目前，公司研发中心工程队伍人员较为稳定，专业水平较高，业务素质过硬，创新意识较强，为公司技术创新及持续发展打下了坚实的基础。 （3）完善的研发流程 公司高度重视研发流程建设，并结合公司的发展情况不断进行优化升级，现已具备快速响应客户需求、优质高效完成产品开发推广的一站式研发能力和针对客户特殊需求提供全方位的技术解决方案能力，实现了端到端系统全面的开发模式，为新产品的快速推出与上市提供了强有力的保障。 （4）不断丰富的研发专利 近年来，公司持续加大专利技术的研发投入，充实核心技术专利储备，有效地保护了创造成果，提高了公司在合资合作和商务谈判中的地位。报告期内，公司新增国家专利14项。截至报告期末，公司已拥有国家专利268项，其中发明专利46项。 2、市场营销方面： （1）国际形势下的新机会 2020年受新冠疫情影响，全球经济增速下滑，半导体行业也受到了一定的冲击。但随着国内疫情防控形势的好转，国内市场需求逐步恢复；中美贸易战的持续激化使得国内功率半导体企业迎来更多的国产替代机会。同时，受国家新基建政策的推动，5G通信、新能源 汽车 、充电桩、云计算、物联网等领域开启了高速增长模式，极大促进了功率半导体产业的发展。 （2）以市场为龙头，提升品牌影响力 公司进一步强化市场部职能，拓宽品牌宣传渠道，完善行业经理、产品经理机制，实行精准营销，聚焦5G、电力电子、消费类电子、安防、工控、 汽车 电子、新能源等重点行业，通过举办行业推介会、线上营销以及参加第三方研讨会等多种渠道，全面进行推广宣讲，快速响应下游行业与客户的需求；同时，充分发挥MCC国际品牌优势，利用欧美地区渠道的产品DESIGNIN（解决方案设计和提供）能力，开拓国际高端市场，稳步提升公司在各行业与客户中的品牌影响力。 （3）大客户营销持续落地 公司持续推行实施大客户价值营销项目，做到以客户为中心，优质资源投向优质客户；报告期内，取得了与中兴、大疆等知名终端客户的进口替代合作机会，积极推进多个产品线的业务合作，进一步拓宽公司未来的市场空间。 3、组织能力建设方面： （1）组织流程优化 报告期内，围绕既定的战略规划，结合外部环境的变化，公司着力梳理战略管理、销售管理、质量管理、产品开发、集成供应链、人力资源、财务等7大主流程，明确流程负责人；以客户第一为导向，删除不增值环节；以IT为支撑，线下优化，线上固化，增加公司透明化管理的程度，进而达到提升效率、管控风险的目的。 （2）强化全面质量管理 面对市场变化以及客户提出的更高的品质要求，公司从企业愿景及长期发展战略出发，随需应变提出了以零缺陷为核心的质量文化变革规划。公司已与外部专业机构合作，开展了零缺陷质量变革活动，通过零缺陷质量文化培育系统的建立和实施，以及零缺陷质量改进活动的开展，有效提升了公司的产品品质和服务水平。报告期内，公司主要客户投诉同比下降约30%，客户满意度大幅提升,进一步增强了公司的核心竞争力。 （3）强化销售队伍建设 报告期内，公司推出了客户经理任职资格体系，进一步明确了业务人员的职业发展通道和标准，并且引进了业内资深市场与销售管理人员，强化销售队伍建设，进一步提升了公司的销售组织能力。

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