
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做
半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。半导体还有一个最重要的性质,如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管等。把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。半导体收音机的工作原理:
下面以春雷401为例。
BG401为本振与混频。B2、C5与BG1组成共基极本振电路,产生本机振荡频率。C2、B1为磁棒与电容构成的输入回路,接收电台的信号。
混频后产生的465KHz中频信号,由BZ1选频、耦合到BG2进行中频放大。本机只有一级中放,BG2兼低频放大。
中放后,中频信号经BZ2选频,次级经D1检波,经R4、C8滤波后,得到
音频
信号,经C9、C10、C11后送到BG2基极进行音频放大,在R7上得到交流电压,经C15到BG3,再进行音频放大。
BG3的信号从B3耦合到功率放大。
BG4是单管滑动甲类放大电路,无信号时静态电流较小。有信号时,经B4耦合,D2整流后的坏电压,使BG4工作电流增大,以得到较大的动态范围,有足够的功率输出。
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