
先上一下别人的答案电阻
应变片是利用金属合金体形变导致电阻
变化的原理制成的形变传感器,
半导体应变片是利用半导体结构形变导致载流子密度变化制成的形变传感器。电阻应变片的优点是变化率稳定,受温度影响小的优点,但是,它的缺点是变化值很微小,检出比较困难;半导体应变片的优点是灵敏度高,输出值电平高,但是,它的稳定差,受温度影响大。总的来说就是金属的更稳定,但是变化范围小,半导体的不稳定,但是变化范围大。但是为什么是这样子的就是题主的问题了,下面也是我自己的回答。金属应变片是由两片不同类型的金属耦合而成,通过应变力导致一片拉伸一片收缩横截面积改变导致应变片电阻改变,从而可以测量数据,这里金属的电阻率没有发生变化。但是对于半导体,他的不稳定性在于电阻的改变不仅由于横截面积的变化,更多是由于电阻率本身的变化。半导体在低压的时候原子外层无电子,导电不能,高压时电子激发到外层,金属性质显现,这时候可以导电。这里的高压低压只是能量的表征,高温,光照,压力都可以作为激发的原料。电导率的大小取决于导电子的浓度(电子和空穴,下称载流子),温度,光照,电压都可以促进半导体载流子的产生;压力使原子间间距发生变化,导致内外电子层的距离也发生变化,也影响了载流子激发的难易程度。总多因素的影响导致半导体材料的载流子变化范围很大,也就是电阻率的变化范围就很大,所以半导体的灵敏度比金属应变片大。同时半导体因为会受到很多因素的影响,因此实验无关量也要较多的考虑进来,比如温度就是特别遭人烦的东西(上面也提及了)。但总的来说这些因素还是可控的。纯手打,望采纳~~~对。不超过5%,也有专门测试大变形的应变片,应变范围在20%至30%。应变片是由敏感栅等构成用于裤隐测量应变的元件,电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的,即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时,其电阻值相应的发生变化,这种现象称为“应变效应”。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件,又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象(见压阻式传感器)。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在d性敏感元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的d性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比,具有灵敏系数高(约高 50~100倍)、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反,适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成,称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来,随着半导体集成电路工艺的迅速发展,相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片,上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导d、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。
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