半导体中的多数载流子是由（）产生的；少数载流子是由（）产生的。

这个与半导体的类型有关。N型半导体和P型半导体是不一样的。N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，空穴称为少数载流子。P型半导体中，多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体，N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

扩展资料：

P型半导体中多数载流子为空穴，空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子，自由电子是带负电荷载流子。

是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

参考资料来源：百度百科-空穴型半导体

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