半导体有哪些主要的散射机理？

1）电离杂质散射

2）晶格振动散射

声学波和光波、声波散射、光波散射

3）其他因素引起的散射

等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射

这是半导体物理中的一个重要而具有深刻物理意义的问题。

首先要弄清楚，半导体晶体中的载流子不一定会遭受散射，因为排列很规则的晶体原子并不散射载流子，这些原子只决定晶体电子的状态——能带。

其次，之所以载流子会遭受散射，是因为晶体原子总是在运动着的（即热振动），这些运动的原子就会散射载流子（称为声子散射）；同时晶体中也总是或多或少存在着杂质和缺陷，这些因素也要散射载流子。所以在半导体中运动的载流子总会受到散射。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

长纵声学波传播时荷气体中的声波类似，会造成原子分布的疏密变化，产生体变，即疏处体积膨胀，密处压缩。在一个波长中，一半处于压缩状态，一半处于膨胀状态，这种体变表示原子间距的减小或增大。由第一章知道，禁带宽度随原子间距变化，疏处禁带宽度减小，密度增大，使能带结构发生波形起伏。禁带宽带的改变反映出导带底和价带顶的升高和降低，引起能带极值的改变。这时，同是处于导带底和价带顶的电子或空穴，在半导体的不同地点，其能量就有差别。所以，纵波引起的能带起伏，就其对载流子的作用讲，如同产生了一个附加势场，这一附加势场破坏了原来势场的严格周期性，就使电子从K状态散射到K状态。

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