半导体扩散工艺是什么

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1 扩散机构2 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 3． 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷掺杂由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。5多晶掺杂向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因

制造二极管时，通常不会用两块相同大小的P型半导体和N型半导体结合形成PN结，而是通常用其中一种半导体作基底，例如一块N型半导体，在其中一端渗透一点三价元素，得到很小一块P型半导体区域，这样的二极管就是N型二极管；或者用一块P型半导体，在其中渗透一点五价元素得到PN结，这样的二极管就是P型二极管。总之，二极管用P型材料制作就是P型二极管，用N型材料制作就是N型二极管，上面的PN结是在作为基底的P型或N型半导体扩散上去的。举个例子，N型点接触二极管是这样做的：用一块N型半导体，正级使用一根铝线与半导体接触，这样就有少量的铝扩散到半导体里，形成PN结，得到一个二极管，整个二极管就是一块N型半导体加一个PN结，没有P型半导体（或者小到可以忽略）。

物体传导热量的能力铝小于铜。

是有个公式叫热扩散系数的，其公式为α=λ/ρc其中α：热扩散系数λ：物体导热率ρ：散热物体密度c：散热物体比热容热扩散能力越强，物体对外散发热量的能力也越快。

铝，银白色轻金属。有延展性。商品常制成棒状、片状、箔状、粉状、带状和丝状。在潮湿空气中能形成一层防止金属腐蚀的氧化膜。铝粉和铝箔在空气中加热能猛烈燃烧，并发出眩目的白色火焰。

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