
| (1)100℃ (2)10Ω (3)720W |
| 试题分析:(1)由题意和图丙可知该PTC材料的“居里点温度”是100℃ (2)R 0 、R T 串联,由图知当t=100℃时R T =34Ω R 0 =R 总 -R T =U 2 /p- R T =(220V) 2 /1100W-34Ω=10Ω (3)由图知当t'=130℃时R T '=45Ω 电路中的电流:I'= U/(R 0 + R T )=220V/(10Ω+45Ω)=4A R T 的实际功率: P T '= I' 2 R T '=(4A) 2 ×45Ω=720W |
(1)降低硬度,改善切削加工性.
(2)降低残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向;
(3)细化晶粒,调整组织,消除组织缺陷。
(4)均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
在生产中,退火工艺应用很广泛。根据工件要求退火的目的不同,退火的工艺规范有多种,常用的有完全退火、球化退火、和去应力退火等。
扩展资料:
退火技术:
1、半导体退火
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位,将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区。
所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
2、蒸发电极金属退火
蒸发电极金属以后需要进行退火,使得半导体表面与金属能够形成合金,以接触良好(减小接触电阻)。这时的退火温度要选取得稍高于金属-半导体的共熔点(对于Si-Al合金,为570度)
参考资料来源:百度百科-退火
| ⑴12v ⑵40℃ |
| 试题分析::(1)当t=20℃时,由图象知半导体的电阻R=50Ω,电路电流 , , , 电源电压 . (2)当 时,定值电阻电压 , 此时半导体电压 , 此时半导体电阻 , 当半导体电阻阻值是20Ω时,由图象知环境温度是40℃. 点评:本题考查了学生的识图能力与欧姆定律的应用;根据图象获取某温度下的电阻值是解题的前提与关键. |
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