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简介：《CMOS集成电路设计基础(第2版)》：普通高等教育“十一五”国家级规划教材丛书。《CMOS集成电路设计基础(第2版)》以电子系统设计者的视角，介绍有关CMOS集成电路的基础知识和设计方法。

《CMOS集成电路设计基础》共分9章，其主要内容：第一章为概述；第二章介绍CMOS集成电路制造工艺基础及版图设计规则；第三章介绍CMOS集成电路工艺中的元器件；第四章介绍CMOS数字集成电路设计基础；第五章介绍CMOS数字集成电路系统设计；第六章介绍模拟集成电路设计基础；第七章介绍VHDL、Verilog HDL及其应用；第八章介绍数字集成电路测试与可测性设计；第九章介绍常用集成电路设计软件及实验。

CMOS器件：就是CMOS传感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文学名为互补金属氧化物半导体，它本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料。其原理是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电） 和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)。CMOS传感器按为像素结构分被动式与主动式两种。被动式 ：又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结，它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时，光敏二极管与垂直的列线（Column bus）连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路（Charge integrating amplifier）保持列线电压为一常数，当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平，与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。主动式： 主动式像素结构（Active Pixel Sensor.简称APS），又叫有源式，如图2所示. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时，人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低了“封装密度”，使40%～50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发，所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。

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cmos是一块芯片，集成在主板上，里面保存着重要的开机参数，而保存是需要电力来维持的，所以每一块主板上都会有一颗纽扣电池，叫cmos电池。

cmos里存放着参数，要设置它，我们必须通过程序把设置好的参数写入cmos，所以，就利用bios程序来读写。

cmos工艺介绍

cmos工艺是在pmos和nmos工艺基础上发展起来的。cmos中的c表示“互补”，即将nmos器件和pmos器件同时制作在同一硅衬底上，制作cmos集成电路。cmos集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。cmos工艺目前已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术，绝大部分集成电路都是用cmos工艺制造的。cmos电路中既包含nmos晶体管也包含pmos晶体管，nmos晶体管是做在p型硅衬底上的，而pmos晶体管是做在n型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，cmos工艺分为p阱cmos工艺、n阱cmos工艺以及双阱cmos工艺。其中n阱cmos工艺由于工艺简单、电路性能较p阱cmos工艺更优，从而获得广泛的应用。

http://amuseum.cdstm.cn/amuseum/ic/index_04_05_01_01.html

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