什么是“嵌入式大赛”？具体介绍一下好吗？

首届“ST-EMBEST杯”嵌入式电子设计大赛正式拉开帷幕!

——嵌入世界,创新无限

2006-10-11

全球知名的半导体供应商意法半导体公司与深圳市英蓓特信息技术有限公司主办的2006年首届“ST-EMBEST杯”嵌入式电子设计大赛”在全国范围内正式拉开帷幕。主办双方希望通过本次嵌入式设计大赛,搭建一个便于沟通的嵌入式设计平台,为广大电子设计工程师和ARM爱好者提供嵌入式方案设计的竞技和学习机会,从而提高国内嵌入式技术的整体设计应用水平。同时,大赛还得到ARM中国,中国微机学会嵌入式系统分会及北京航天航空大学出版社等相关机构的鼎力支持。

本次大赛参赛作品主要是基于意法半导体公司的STR7和STR9进行应用设计开发,英蓓特公司将免费提供开发工具。大赛欢迎嵌入式领域的企业或研究所的软、硬件工程师,大学相关专业的在校研究生或本科生,以及所有对嵌入式ARM开发有兴趣的专业人士参加。活动将以小组为单位进行,每组可由1-5人组成,自由组对参赛。为鼓励更多的不同技术层次和背景的开发工程师参赛,大赛分为2个组别:基于STR7开发的入门组和基于STR9开发的专业组。

为吸引更多的ARM爱好者踊跃参加,大赛特别为参赛选手准备了总值超过50万的丰厚奖金奖品,并特别推出“我们提供平台,你来开发设计!”的举措,突破了以往设计比赛要求参赛者队自己准备开发平台的局限性,为更多的ARM爱好者提供了更便利的施展才华的空间。

大赛将分为参赛报名、作品征集及网络投票、作品答辩及评审、公布结果及颁奖四个阶段进行,从2006年9月27日正式报名开始,预计历时7个月,于2007年5月揭晓大赛结果。

深圳英蓓特信息技术有限公司将主要负责本次大赛的组织工作。英蓓特是开发、生产基于ARM开发工具的专业公司,并能提供全面、完善的技术支持服务。它作为中国三家正式的ARM培训中心(ATC)之一,将为通过初审的参赛小组提供正式的关于ST-ARM产品的有价值的技术培训及辅导。

“首届ST-EMBEST 杯嵌入式电子设计大赛是我们与英蓓特公司共同合作的创新赛事。” 意法半导体公司MCU事业部市场总监朱利安先生(负责大中国区/亚太区/印度)表示,“该大赛将为广大嵌入式开发工程师,特别是基于ARM开发的工程师提供一个高效、开放的嵌入式技术交流平台。预祝大赛取得圆满成功!”

深圳市英蓓特信息技术有限公司总裁刘炽先生对此次大赛也予以高度评价:“我们非常荣幸能够与ST公司共同主办首届“ST-EMBEST杯嵌入式电子设计大赛”。参赛选手不仅可以在赛程中拥有并使用目前市场上最先进的开发工具,还将获得宝贵的设计开发经验,并实现自己的创新梦想!”

如果你是嵌入式开发高手,如果你是ARM爱好者,如果你有许多创意想实现,请登陆大赛官方网站http://str.embed.com.cn/ ,在线报名并获得更详细的参赛规则及流程。

意法半导体(ST)公司简介

意法半导体,是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合,雄厚的制造实力,广泛的知识产权组合(IP),以及强大的战略合作伙伴关系,使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中,ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2005年,公司净收入88.8亿美元,净收益2.66亿美元,详情请访问ST网站:www.st.com 或 ST中文网站www.stmicroelectronics.com.cn .

关于深圳市英蓓特信息技术有限公司

深圳市英蓓特信息技术有限公司(Embest)是一家为全球嵌入式系统开发人员提供软硬件开发工具和嵌入式系统完整解决方案及技术信息服务的高科技企业。本着前瞻的视野,公司以尽快提升中国高科技嵌入式系统开发应用水平为己任,专业服务于嵌入式在线CPU/MCU开发工具(IDE &ICD)、实时多任务 *** 作系统(RTOS)、嵌入式控制板(Embedded Board)等应用领域。

半导体工艺技术有很多，每种工艺都有其特定的优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的。

常见的半导体工艺有：晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。

其中，晶圆切割、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等是半导体八大工艺，这八种工艺是半导体制造过程中最重要的工艺，也是最常用的工艺。

每种工艺都有其优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的，没有哪一种工艺是最好的。

我们在 ExtremeTech 上讨论了很多半导体工艺节点，但是从技术上讲，我们并不经常提及什么是半导体工艺节点 。 随着 Intel 的 10nm 节点进入生产阶段，对于半导体工艺节点的困惑越来越多了，而且对于台积电和三星的技术是不是优于英特尔（以及如果拥有的优势，他们拥有多少优势），也打上了问号。

半导体工艺节点通常以数字命名，后跟纳米的缩写：32nm，22nm，14nm等。CPU 的任何功能与节点名称之间没有固定的客观联系。半导体工艺节点的命名方式也并非总是如此，在大约 1960s-1990s ，节点是根据门的长度来命名的。IEEE 的这张图显示了这种关系：

长期以来，栅极长度（晶体管栅极的长度）和半间距（芯片上两个相同特征，如栅级，之间的距离的一半）与过程节点名称相匹配，但最后一次是 1997年 。半间距又连续几代与节点名匹配，但在实际意义上两者并没有什么关系。实际上，特征尺寸和芯片实际上的样子匹配，已经是很长很长时间之前的事情了。

如果我们达到几何比例缩放要求以使节点名称和实际特征尺寸保持同步，那么六年前我们就该将生产线降至 1nm 以下（这怎么可能嘛）。我们用来表示每个新节点的数字只是代工厂为了宣传选取的数字。早在2010年，ITRS（国际半导体技术发展蓝图，稍后对此组织进行详细介绍）把在每个节点上应用的技术集称为“等效扩展”（而不是几何扩展）。当我们接近纳米级的极限时，宣传可能会开始使用埃而不是纳米，或者可能会使用小数点。当我开始在这个行业工作时，通常会看到记者提到微米而不是纳米的工艺节点，例如 0.18微米或 0.13微米，而不是 180nm 或 130nm。

半导体制造涉及大量的资本支出和大量的长期研究。从论文采用新技术到大规模商业化生产之间的平均时间间隔为10到15年。几十年前，半导体行业认识到，如果存在针对节点引入的通用路线图以及这些节点所针对的特征尺寸，这对每个电子工业的参与方都是有利的。这将允许生产线上的不同位置的厂商同时克服将新节点推向市场遇到的难题。多年来，ITRS（国际半导体技术路线图）一直在发布该行业的总体路线图。这些路线图长达15年之久，为半导体市场设定了总体目标。

ITRS于1998-2015年发布。从2013年至2014年，ITRS重组为ITRS 2.0，他们很快意识到传统的推进方法遇到了理论创新的瓶颈，新组织的任务目标是为大学、财团和行业研究人员提供“未来的主要参考方向，以激发技术各个领域的创新”，这个目标也要求新组织大幅扩展其覆盖范围和覆盖范围。ITRS就此宣布退休了，成立了一个新的组织，称为IRDS（国际设备和系统路线图），其研究的范围大得多，涉及更广泛的技术。

范围和重点的转移反映了整个代工行业正在发生的事情。我们停止将栅极长度或半间距与节点大小绑定的原因是，它们要么停止缩小，要么缩小的速率减慢。作为替代方案，公司已经集成了各种新技术和制造方法，从而继续进行节点缩放。在40 / 45nm，GF和TSMC等公司推出了浸没式光刻技术。在32nm处引入了双图案。后栅极制造是28nm的功能。FinFET是由Intel在22nm处引入的，而其他公司则是在14 / 16nm节点处引入的。

公司有时会在不同的时间推出功能。AMD和台积电推出了40 / 45nm浸没式光刻技术，但英特尔等到32nm才使用该技术，并选择首先推出双图案。GlobalFoundries和台积电开始在32 / 28nm使用更多的双图案。台积电在28nm处使用后栅极构造，而三星和GF使用先栅极技术。但是，随着进展变得越来越慢，我们已经看到公司更加依赖于营销，拥有更多定义的“节点”。像三星这样的公司，没有像以前一样瀑布式下降节点名字（90、65、45），而是给不同的工艺节点起了数字部分相同的名字：

我认为您可以吐槽该产品名称不明不白，因为除非您有清晰的图表，否则很难分辨哪些流程节点是早期节点的演变变体。

尽管节点名称不 依赖 于任何特征尺寸，并且某些特征尺寸已停止缩小，但半导体制造商仍在寻找改善关键指标的方法。这是真正的技术进步。但是，由于现在很难获得性能上的优势，并且更小的节点需要更长的开发时间，因此公司正在尝试更多所谓的改进实验。例如，三星正在准备比以前更多的节点名称。那是某种营销策略，而不是他们真的能做出来多么超前的改进。

因为英特尔10纳米制程的制造参数非常接近台积电和三星用于7纳米制程的值。下面的图表来自WikiChip，但它结合了英特尔10nm节点的已知功能尺寸和台积电和三星7nm节点的已知功能尺寸。如您所见，它们非常相似：

delta 14nm / delta 10nm列显示了每个公司从其上一个节点开始将特定功能缩小的程度。英特尔和三星的最小金属间距比台积电更严格，但是台积电的高密度SRAM单元比英特尔小，这可能反映了台湾代工厂的不同客户的需求。同时，三星的单元甚至比台积电的单元还要小。总体而言，英特尔的10nm工艺达到了许多关键指标，台积电和三星都将其称为7nm。

由于特定的设计目标，单个芯片可能仍具有偏离这些尺寸的功能。制造商提供的这些数字是给定节点上的典型预期实现方式，不一定与任何特定芯片完全匹配。

有人质疑英特尔的10nm +工艺（用于Ice Lake）在多大程度上达到了这些宣传的指标（我相信这些数字是针对Cannon Lake发布的）。的确，英特尔10纳米节点的预期规格可能会略有变化，但14纳米+也是14纳米的调整，10nm+肯定比14nm工艺有非常大的改进。英特尔已经表示，一定会把10nm工艺节点的晶体管密度相对14nm增加2.7倍作为目标，因此我们将推迟任何有关10nm +可能略有不同的猜测。

理解新流程节点的含义的最佳方法是将其视为总括性术语。当一家代工厂商谈论推出一个新的流程节点时，他们所说的其实是：

“我们创建了具有更小特征和更严格公差的新制造工艺。为了实现这一目标，我们集成了新的制造技术。我们将这组新的制造技术称为流程节点，因为我们想要一个总括的术语，向大众传递我们改进了某些具体的工艺参数。”

关于该主题还有其他问题吗？将它们放到下面，我会回答他们。

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