杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的

本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的，一般数量不多（随温度而指数函数式增大）。

但是，掺入施主杂质或者受主杂质以后，则杂质可提供大量的电子或者空穴，这就是多数载流子；这时，还是存在少数载流子，那就是本征激发出来的一些载流子。

少子即少数载流子，相对的是多数载流子，两种载流子的浓度乘积是固定的。

掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离（电离出电子或空穴，依掺杂物种类而异），电离出的载流子远远多于半导体本征电离，于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异，低的是少数载流子，多的是多数载流子。

少子，又称少数载流子，是指在N型半导体中，空穴称为少数载流子，简称少子。少子是半导体物理的概念。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占大多数，导电中起到主要作用，则称它为多子。反之，称为少子。

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