如图所示电路分压式偏置放大电路中，已知RC＝3.3KΩ，RB1＝40KΩ，RB2＝10KΩ，RE＝1.5KΩ，β=70。

题目中缺一个晶体管用的材料这个条件，如果是锗半导体材料的晶体管，基极－发射极电压约0.25V（常按0.3V计算），硅材料半导体晶体管基极－发射极电压约0.65V（常按0.7V计算）

下面按硅晶体管考虑计算：

由RB1、RB2分压比是4/1，和电源电压是25V得知基极电位约5V，则发射极电压约4.3V，发射极电阻为1.5kΩ，

则发射极电流约为2.87mA，

基极电流＝发射/（β＋1）＝40.4μA，

集电极电流＝发射极电流－基极电流＝2.83mA，

UCE＝25V－2.87mA×1.5kΩ－2.83mA×3.3kΩ＝11.36V

题目中缺一个rbe（发射结电阻）条件，所以不能计算电压放大倍数。该参照不能凭计算得到，就象β一样，由晶体管型号和规格给定，也可以通过实验测量得到。在题目中应该作为已知条件给定。否则可能无法计算电压放大倍数。

但是如果电路中没有Ce，则　电压放大倍数≈集电极电阻/发射极电阻，有了发射极电容时就不能这样估算了。

注意：现在网上有一种错误计算方法，就是 rbe＝发射结导通电压÷基极电流。实际上rbe比这样计算出来的电阻小得多。理论上只有基极电流极大时才可以近似相等。因为晶体管发射结是非线性器件，非线性器件的电阻要用 r＝dU/dI 来计算，也就是说，在不同的基极电流情况下，rbe是不同的。见下图：

这是晶体管基极－发射极的输入特性曲线，非常明显用Ube/Ib计算出的Rbe与rbe相差很大。电阻其实在U/I坐标图中就是曲线上各点的余切值，垂直的线电阻为0，水平的直线电阻为∞，而45°的直线就是1，电流的单位是μA，那就是1MΩ，说明rbe和Rbe的角度差一点就可能相差数kΩ至数百kΩ。所以不能用Ube/Ib求rbe。除非基极电流非常大时两条线才接近平行。

2.电子,空穴,正,3,空穴,电子,负

3.单向导通,正向（正偏）,反向（反偏）

4.反向击穿,加限流电阻

5.基,集电,发射,PN,基,集电极,发射极

6.VEF,正极,负极,击穿

7.共射,共基,共集

8.发射结正偏,集电结反偏

9.截止,饱和,线性

10.输出信号,反馈信号,负反馈,正反馈,电压并联,电压串联,电流并联,电流串联

11.电压,电流,电感

12.增益,输入和输出,输入电阻较高,输出电阻较小

13.正相,反相,共模输入,差模输入,单端输入

14.接近于1,较高,较小,电流

15.20lg|Avd/Avc|,差

16.反相器,电压跟随

17.变压,整流,滤波,稳压

18.20X20X250=100000

19.深度负反馈,F=0.2

20.15

---